在芯片失效分析(Failure Analysis, FA)过程中,Hot Spot技术主要用于定位芯片内部产生过热或异常电流密度区域,帮助工程师快速找到潜在的故障点或缺陷。随着半导体工艺不断缩小、集成...
为探索模拟电路在硅片中的实现方式,对一个简单的可调节电压基准源TL431进行逆向分析。TL431的历史十分悠久,它于1978年问世,自那以后,它就成为众多设备中的关键部件。虽然下面...
随着智能手机、电脑等电子设备不断追求轻薄化,芯片中的晶体管尺寸已缩小至纳米级(如3nm、2nm)。但尺寸缩小的同时,一个名为漏致势垒降低效应(DIBL)的物理现象逐渐成为制约芯...
FMEA(Failure Mode and Effects Analysis)是失效模式和影响分析的英文缩写,主要应用于航空航天、食品、汽车和核电等行业。它是一种未雨绸缪的方法,旨在预防问题的发生或控制问题的发展...
前段工艺(Front-End)、中段工艺(Middle-End)和后段工艺(Back-End)是半导体制造过程中的三个主要阶段,它们在制造过程中扮演着不同的角色。 前段工艺(Front-End) 主要关注晶体管的...
静态时序分析(Static Timing Analysis,STA)是集成电路设计中的一项关键技术,它通过分析电路中的时序关系来验证电路是否满足设计的时序要求。与动态仿真不同,STA不需要模拟电路的实...
在集成电路封装设计中, Floorplan评估 是指对芯片内部各功能模块的布局进行分析和优化的过程。这一过程类似于建筑设计中的平面布置图,旨在合理安排各个功能单元的位置,以满足...
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晶圆减薄是半导体制造中的关键步骤,主要目的是为了满足芯片在性能、封装、散热等方面的要求。 本文目录 硅晶圆厚度 晶圆减薄后的优势 晶圆减薄工艺 晶圆减薄技术 1. 硅晶圆厚度...
后端布局布线(Place and Route,PR)是集成电路设计中的一个重要环节,它主要涉及如何在硅片上合理地安排电路元器件的位置,并通过布线将这些元器件连接起来,以确保芯片能够正确...