[芯片制造] 详解芯片制造全流程 日期：2025-05-07 22:31:45 点击：199 好评：0
在现代科技推动下，芯片制造全流程堪称一场精密的工艺之旅。从最初的设计阶段开始，工程师们运用复杂的计算模型和仿真技术，确保每一个电路和晶体管都完美契合。接着，设计图...
[芯片制造] 浅谈IC失效分析 日期：2025-05-05 14:09:02 点击：121 好评：0
失效分析（FA） 今天和大家一起学习总结芯片失效分析（Failure Analysis）。 当一颗IC 完成design，并不意味着designer研发工作的结束，这一点作为IC designer是一定要明确的。做IC不是纸上谈...
[芯片制造] 预非晶化注入（Pre-Amorphization Implant，PAI）技术介 日期：2025-04-23 20:23:00 点击：169 好评：0
在半导体制造工艺不断向更小节点推进的今天， 预非晶化注入（Pre-Amorphization Implant，PAI） 已成为不可或缺的关键技术之一。 PAI工艺的基本原理与作用机制 预非晶化注入（PAI）是半导...
[芯片制造] 芯片寿命的＂隐形杀手＂：热载流子注入效应（ 日期：2025-04-22 19:05:00 点击：275 好评：2
什么是热载流子注入效应 热载流子注入效应（Hot Carrier Inject, HCI）是 半导体器件（如晶体管）工作时，高能电子或空穴突破材料势垒、侵入绝缘层的物理现象 。当芯片中的载流子（电...
[芯片制造] 半导体中芯片的功耗和速度应该如何平衡？ 日期：2025-04-17 19:23:00 点击：199 好评：0
在半导体芯片设计中，功耗与速度的平衡是核心挑战之一，两者往往存在此消彼长的权衡关系。以下是更系统、更落地的平衡策略： 1. 基础原理：功耗与速度的冲突 功耗来源：动态功...
[芯片制造] 芯片测试中，leakage与IDDQ有什么异同？ 日期：2025-04-14 22:00:56 点击：206 好评：0
在芯片的晶圆测试（CP测试，Wafer Sort）中， leakage（漏电流） 和 IDDQ（静态电源电流） 都是 衡量芯片电路健康状况的重要电流类测试指标， 它们都可以用来发现某些制造缺陷，但它们...
[芯片制造] 一文了解先进封装之倒装芯片(FlipChip)技术 日期：2025-04-14 20:38:00 点击：160 好评：0
一、什么是芯片封装？ 芯片是电子元件的重要组成部分，芯片必须与印刷电路板（Print Circuit Board，PCB）之间形成电互连，以实现芯片之间或芯片与其它电子元器件之间的沟通。 芯片主...
[芯片制造] 芯片失效分析中的 Hot Spot 技术 日期：2025-04-07 21:33:46 点击：188 好评：0
在芯片失效分析（Failure Analysis, FA）过程中，Hot Spot技术主要用于定位芯片内部产生过热或异常电流密度区域，帮助工程师快速找到潜在的故障点或缺陷。随着半导体工艺不断缩小、集成...
[芯片制造] 一款电压基准源芯片的反向提图 日期：2025-04-07 20:11:00 点击：218 好评：0
为探索模拟电路在硅片中的实现方式，对一个简单的可调节电压基准源TL431进行逆向分析。TL431的历史十分悠久，它于1978年问世，自那以后，它就成为众多设备中的关键部件。虽然下面...
[芯片制造] 芯片越小，漏电越严重？漏致势垒降低效应是什 日期：2025-04-06 16:49:05 点击：231 好评：0
随着智能手机、电脑等电子设备不断追求轻薄化，芯片中的晶体管尺寸已缩小至纳米级（如3nm、2nm）。但尺寸缩小的同时，一个名为漏致势垒降低效应（DIBL）的物理现象逐渐成为制约芯...
