在芯片失效案例中,静电放电(ESD)导致的损伤占比超过25%,却常因无明显物理痕迹被误判为设计缺陷或批次质量问题。ESD损伤具有微观性与隐蔽性,许多工程师在分析时仅盯着I/O端口...
芯片失效分析步骤全流程 芯片失效分析是一个系统性工程,通常包括以下全流程步骤: 1.前期信息收集与失效现象确认 失效背景调查:收集芯片型号、应用场景、失效模式(如短路、漏...
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芯片Decap,全称为 芯片开封(Decapsulation) ,也被业内称为开盖或开帽,是指对已完成封装的集成电路(IC)芯片进行局部处理,通过物理或化学方式去除外部封装材料,从而暴露出内部...
可测性设计(Design for Testability, DFT) 是芯片设计中的关键技术,全称为设计用于测试。它是指在芯片生产制造过程中,由于不可避免的制造缺陷,如金属线短路、断路或掺杂浓度异常,...
芯片,也称为集成电路,是现代电子设备的核心部件。其制造过程复杂且精密,涉及多个环节和高度先进的设备。 1. 设计阶段 芯片制造始于设计阶段。工程师使用专门的电子设计自动...
球栅阵列(简称BGA)封装作为现代电子封装的重要形式,因其优异的性能和高密度的引脚排列被广泛应用于微处理器、存储器及各类集成电路中。 BGA封装简介 BGA封装通过在芯片下方布...
概述 EMMI和OBIRCH都是用于集成电路(IC)失效分析和缺陷定位的非侵入式、高精度的光学检测技术。它们就像给芯片做CT扫描和B超,帮助工程师看见肉眼和传统电子测试无法发现的微小缺...
芯片的早夭(Infant Mortality),也称为早期失效,是电子产品失效率浴盆曲线(Bathtub Curve)的第一个阶段。这个阶段的失效主要由制造过程中引入的潜在缺陷(Latent Defects)导致,这些缺...
芯片封装 在摩尔定律趋近物理极限、功率器件制程仍停留在百纳米节点的产业背景下,芯片尺寸缩小与性能提升之间的矛盾愈发尖锐。封装环节被推到技术演进的核心:材料需同时满足...