[芯片制造] ATE唠唠嗑No.11——MIPI浅谈 日期：2025-07-11 22:45:05 点击：94 好评：0
MIPI接口的背景故事可以概括为一场由移动设备革命驱动的行业协作创新。 1. 移动时代的痛点（2000年代初） 功能手机向智能手机过渡时，摄像头、显示屏等模块的接口标准混乱（LVDS、...
[芯片制造] 芯片失效步骤及其失效难题分析！ 日期：2025-07-10 23:17:59 点击：70 好评：0
芯片失效分析的主要步骤 芯片开封： 去除IC封胶，同时保持芯片功能的完整无损，保持 die，bond pads，bond wires乃至lead-frame不受损伤，为下一步芯片失效分析实验做准备。 SEM 扫描电镜...
[芯片制造] 芯片设计中的版图（Layout）设计 日期：2025-07-07 20:18:00 点击：266 好评：0
在集成电路设计中， 版图（Layout） 是芯片设计的核心环节之一，指芯片电路的物理实现图。它描述了电路中所有元器件（如晶体管、电阻、电容等）及其连接方式在硅片上的 具体布局...
[芯片制造] 芯片粘接失效模式 日期：2025-07-04 20:28:00 点击：124 好评：0
芯片粘接失效模式 FMEA 2025 失效模式与影响分析（Failure Mode and Effects Analysis, FMEA）是生产流程中一种预防性分析工具，旨在通过系统性评估识别潜在风险。工程技术人员从设计策划阶段...
[芯片制造] WLCSP封装TVS管的异常漏电分析（一） 日期：2025-06-30 20:54:00 点击：228 好评：0
背景 WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package，晶圆级封装) 凭借微型化、高效能、低成本等优势广泛应用于各类芯片，同时也适用于MOSFET和TVS(Transient Voltage Suppressor) 管等分立器件。例如Nexperia的...
[芯片制造] TVS管漏电失效分析：基于LIT、SEM与EDX技术（二） 日期：2025-06-29 21:47:12 点击：234 好评：0
在 WLCSP封装TVS管的异常漏电分析（一） 中，我们从电路板和器件两个层面分析了WLCSP封装TVS管出现异常漏电的原因，发现是由于PCB焊盘设计过大，使得焊接时焊锡溢出，接触到了芯片侧...
[芯片制造] 从晶圆到芯片：12步图解芯片封装全流程（上篇 日期：2025-06-29 21:22:49 点击：405 好评：0
【科普】半导体芯片制造八大步骤（下篇） 简要介绍了芯片封装的基本流程，为了更直观的理解这一过程，本文将以传统封装的芯片为例，通过一系列图片，逐步展示芯片封装的12步关...
[芯片制造] 基于ＬＥＤ不同封装类型散热分析 日期：2025-06-24 19:05:00 点击：238 好评：0
应市场要求，ＬＥＤ芯片功率不断增大，导致ＬＥＤ工作时结温升高，因此对产品的散热性能要求也越来越高。综合分析目前市场上ＬＥＤ灯的不同封装类型及研究现状后，本文基于Ｆ...
[芯片制造] MOSFET概述（8） 日期：2025-06-20 23:04:23 点击：200 好评：0
1. 基于速度饱和的MOSFET的IV 模型 之前讨论过MOS的IV理论是基于恒定的迁移率的，这次讨论基于速度饱和效应，其具体讨论如下： 由此可以推导出 当L很大时，上述两种Ids的计算等式一致...
[芯片制造] MOSFET概述（7） 日期：2025-06-20 22:58:29 点击：140 好评：0
这篇文章我们来讨论MOS管中的效应。 1.速度饱和VELOCITY SATURATION 在MOS管中载流子（电子或空穴）的运动速度不是无限增加的。当器件工作在高电场区域时，随着沟道内纵向电场强度的增...
