[芯片制造] 走近第三代半导体——氮化镓（GaN）； 日期：2024-03-22 19:30:00 点击：111 好评：0
第三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略...
[芯片制造] 半导体几大先进封装技术的分享； 日期：2024-03-22 19:02:12 点击：283 好评：0
半导体产品在由二维向三维发展，从技术发展方向半导体产品出现了系统级封装（SiP）等新的封装方式，从技术实现方法出现了倒装（FlipChip），凸块（Bumping），晶圆级封装（Wafer lev...
[芯片制造] 半导体IGBT和SiC栅极驱动基础知识的详解； 日期：2024-03-20 21:42:00 点击：270 好评：0
高效电源转换在很大程度上取决于系统中使用的功率半导体器件。由于功率器件不断改进，大功率应用的效率正在越来越高并且尺寸越来越小。IGBT和SiC器件在高压应用领域备受青睐。...
[芯片制造] 半导体IGBT模块静态参数的详解； 日期：2024-03-20 21:06:52 点击：216 好评：0
工程师们在选型IGBT模块时，无一例外要看datasheet，那么规格书中标注的哪些参数需要重点关注？这些参数代表什么意义？对功率驱动的设计有什么帮助呢？本期就跟大家一起来讨论这个...
[芯片制造] 轻松了解功率MOSFET的雪崩效应 日期：2024-03-20 18:04:00 点击：280 好评：0
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动...
[芯片制造] 功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？ 日期：2024-03-20 17:27:06 点击：338 好评：2
在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动...
[芯片制造] 芯片半导体基础知识 日期：2024-03-19 19:21:00 点击：260 好评：2
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[芯片制造] AEC-Q100车规芯片验证G1：MS - Mechanical Shock 机械震动 日期：2024-03-18 20:46:00 点击：279 好评：0
AEC-Q100文件，是芯片开展车规等级验证的重要标准和指导文件，本文将重点对G组的第1项MS - Mechanical Shock机械震动项目进行介绍。 AEC Q100 表格2中G组内容 MS - Mechanical Shock 机械振动 我们先...
[芯片制造] AEC-Q100车规芯片验证G2：VFV - Variable Frequency Vibra 日期：2024-03-18 20:20:54 点击：319 好评：2
AEC-Q100文件，是芯片开展车规等级验证的重要标准和指导文件，本文将重点对G组的第2项VFV - Variable Frequency Vibration变频震动项目进行介绍。 AEC Q100 表格2中G组内容 VFV - Variable Frequency Vi...
[芯片制造] 3D NAND的沟道通孔是怎么做出来的？ 日期：2024-03-17 16:53:00 点击：321 好评：0
在3D NAND的制造过程中，一般会有3个工序会用到干法蚀刻，即：台阶蚀刻，沟道通孔蚀刻以及接触孔蚀刻。上期，我们介绍了台阶蚀刻， 《3D NAND的台阶蚀刻（刻蚀）》 什么是沟道通孔？...
