一、 Memory IC简介 每种IC在设计阶段都会设定其特定的规格和性能参数,生产制造过程将严格依据这些规格进行。测试设备的作用就是检测生产出的IC是否符合既定规格要求。 关于IC规格...
书接上文,IIH/IIL 除串行测试(需 ATE 具备 PerPin PMU 结构)外,IIH/IIL 测试还可采用更节省时间的 并行测试 方式。如需进一步压缩测试时间,可基于 DUT 的 I/O 结构考虑实施 集群测试 。...
在千万级晶体管的芯片战场上, DFT测试Pattern 就是工程师的诊断听诊器。本文浓缩产线实战精华,聚焦ATE最核心的三大Pattern: BSCAN (边界扫描) ScanDC (静态缺陷检测) ScanAC (动态时...
I.字线电压的概念及产生方式 II.字线电压对DRAM性能与可靠性的影响 III.在DRAM测试中关于字线电压的关注点 I. 字线电压的概念及产生方式 A. 字线电压的概念 动态随机存取存储器(DRAM)...
I. Magnum V 测试程序架构简介 A. Magnum V 测试系统概述 Teradyne Magnum V是一款 专为闪存( Flash )、动态随机存取存储器( DRAM )及多芯片封装( MCP )市场设计的新一代存储器测试解决方案...
MIPI物理层协议对比 1. D-PHY C-PHY(3-phase) .并行总线在低比特率下采用慢边沿信号以降低EMI(需在ATE测试中验证边沿速率与EMI合规性) .C-PHY的三相编码(3-phase)需测试符号间干扰(ISI)...
芯片如何准确识别0和1?传统答案指向VIH/VIL电压门槛。但在精密复杂的现代芯片中,一个更关键的指标悄然上位: 电流 。IIH(输入高电平电流)和IIL(输入低电平电流)测试,正成为...
书接上文,咱们接着聊 ATE 的常规DC测试项目--IIH/IIL 静态测试。 一.参数定义 IIH: 输入处于 高电平(H) 时 流入DUT(-) 的 电流(I) ,I/O管脚处于 输入状态 时,输入管脚 到地 的阻抗。...
本文重要介绍半导体器件的失效分析及可靠性测试,分述如下: 失效分析概述 封装缺陷与失效 加速失效的因素 可靠性测试 失效分析概述 失效分析实质是对器件的电特性失效采取分析...
车用多芯片模块的可靠性测试标准 随着汽车电子技术的快速发展,车载系统的复杂性不断增加,尤其是电子控制部件、导航系统和多媒体设备等的广泛应用,使得多芯片模块(MCM)的可...