 Wire Bond，即引线键合，又称打线，是一种使用细金属线(金丝、铜丝或铝丝) ,利用热、压力、超声波能量,将半导体器件芯片表面的电极引线与基板或引线框架外引线相连接起来，实现芯片与基板间的电气互连和芯片间的信息互通的技术。 Wire Bond 的主要方法包括： 球焊(Ball Bonding),使用金属线(通常是金线或铜线)通过电弧放电使伸出部分熔化,并在表面张力作用下成球形，然后通过毛细管劈刀将球压焊到芯片的焊盘上，再从第一个焊点抽出弯曲的金属线再压焊到相应的位置上,形成第二个焊点,为平焊（楔形）焊点，然后又形成另一个新球用作于下一个的第一个球焊点的方法。  楔焊(Wedge Bonding),使用金属线(通常是铝线或金线)利用超声波发生器产生的能量,通过换能器在超高频的电场作用下,迅速伸缩产生弹性振动，使楔形劈刀相应振动，同时在劈刀上施加一定的压力,于是劈刀带动金属线在被焊区的金属化层如（铝膜）表面迅速摩擦，使金属线和金属膜表面产生塑性变形,这种形变也破坏了金属层界面的氧化层,使两个纯净的金属表面紧密接触达到原子间的结合,从而形成焊接的方法。  Wire Bond是半导体封装过程中非常重要的一个工艺环节，它的质量直接影响着半导体器件产品的最 终性能和可靠性。下面就Wire Bond的这个工艺，给大家分享一下其详细介绍：                                    |
