[芯片制造] 3D NAND的沟道通孔是怎么做出来的？ 日期：2024-03-17 16:53:00 点击：124 好评：0
在3D NAND的制造过程中，一般会有3个工序会用到干法蚀刻，即：台阶蚀刻，沟道通孔蚀刻以及接触孔蚀刻。上期，我们介绍了台阶蚀刻， 《3D NAND的台阶蚀刻（刻蚀）》 什么是沟道通孔？...
[芯片制造] 3D NAND的主要工艺流程 日期：2024-03-17 16:17:45 点击：65 好评：0
3D NAND绝对是芯片制程的天花板，三星，海力士，英特尔，长江存储等都有3D NAND的产线，代表了一个国家的芯片制造水平。今天，我们就来剖析一下3D NAND的主要制作流程。 1，基底准备...
[芯片制造] 第五章微电子芯片的失效分析 日期：2024-03-09 21:42:06 点击：116 好评：0
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[芯片制造] MEMS工艺——半导体制造技术（四） 日期：2024-03-08 20:20:00 点击：105 好评：0
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[芯片制造] MEMS工艺——半导体制造技术（三） 日期：2024-03-08 19:03:16 点击：96 好评：0
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[芯片制造] MEMS工艺——半导体制造技术（一） 日期：2024-03-07 21:31:00 点击：203 好评：0
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[芯片制造] 半导体芯片制造光刻成本的详解； 日期：2024-03-07 20:12:00 点击：171 好评：0
据semianalysis报道，他们正在密切跟踪的一个项目是光刻支出如何随着各种节点缩小而演变。这项研究最初是从28 nm开始，然后从第一代 FinFET 节点发展到第一个 EUV 节点，再到第一个 Ga...
[芯片制造] 深度学习对于计算机架构和芯片设计的影响（二 日期：2024-03-05 19:44:29 点击：120 好评：0
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[芯片制造] IGBT温度估算----论文研读1 日期：2024-03-02 20:40:34 点击：163 好评：0
最近忙着做IGBT结温相关内容，之前没做过，所以研究了段时间，略有成果后分享给各位，当然，有大神来指点一二更好，本篇会以论文解读分享为切入。 本着宁缺毋滥的想法并没有一...
[芯片制造] IGBT温度估算----论文研读2 日期：2024-03-02 19:18:00 点击：101 好评：0
引言： 上篇说到了IGBT、二极管的导通损耗和开关损耗是随着母线电压增大而增大的；同理，也可以知道 IGBT开通损耗 与 二极管反向恢复损耗 在特定母线电压下是随着温度的上升而增加...
