[芯片制造] 芯片设计时，用到的efuse 和otp有什么区别？ 日期：2023-11-02 19:48:57 点击：3198 好评：10
1.Efuse是什么 eFuse基于一个简单概念，即通过测量已知电阻器上的电压来检测电流，然后在电流超过设计限值时，通过场效应晶体管 (FET) 切断电流。eFuse具有热保险丝无法实现特性、灵活...
[芯片制造] 【干货】一文搞懂芯粒（Chiplet）技术 日期：2023-11-01 22:44:08 点击：3795 好评：72
芯片设计一直都是很难的事情，特别是高性能芯片。芯片性能的提升，目前主要微架构的优化设计和依赖于制造工艺的快速迭代。 摩尔定律 （Moore） 发展趋缓，依靠传统方法提升芯片...
[芯片制造] eFuse IC基础知识 日期：2023-11-01 20:50:00 点击：474 好评：0
什么是半导体保险丝eFuse IC？ 不同于传统保险丝，eFuse IC具有集成于单封装中的高性能、高精度保护功能。其可重复使用，降低维护成本并缩短修复时间。 半导体保险丝eFuse IC的优势（...
[芯片制造] SoC设计 - efuse 日期：2023-10-26 18:16:05 点击：403 好评：0
1、 Efuse 是什么 eFuse的全称是电子熔断器（electronic fuse），是一种可编程电子保险丝，是一种用于存储信息和保护芯片的非易失性存储器件。它的原理是基于电子注入和热效应。在eFus...
[芯片制造] IGBT功率模块双面散热介绍 日期：2023-10-25 18:16:19 点击：802 好评：8
IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管，特点是可以使用电压控制、耐压高、饱和压降小、切换速度快、节能等。功率模块是电动汽车逆变器的核心部件，其封装技术对系统性能和可靠性有着至...
[芯片制造] 详解芯片内部各个电路结构 日期：2023-10-24 20:37:34 点击：349 好评：0
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[芯片制造] 功率器件结温监测技术研究（PPT） 日期：2023-10-23 19:07:00 点击：182 好评：0
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[芯片制造] 热设计（下篇） 日期：2023-10-20 19:27:00 点击：264 好评：0
-----本文简介----- 主要内容包括： 关于热设计，此前写过一篇文章介绍过（点击阅读： 器件与IC的热设计 ），主要内容是在电路详细设计时芯片与器件的温升计算，而文本将对整个项目...
[芯片制造] 半导体后端工艺：晶圆级封装工艺（下） 日期：2023-10-19 18:56:00 点击：317 好评：0
溅射工艺 ：在晶圆表面形成薄膜 溅射是一种在晶圆表面形成金属薄膜的物理气相沉积（PVD） 6 工艺。如果晶圆上形成的金属薄膜低于倒片封装中的凸点，则被称为凸点下金属层（UBM，...
[芯片制造] 半导体后端工艺：晶圆级封装工艺（上） 日期：2023-10-17 18:51:00 点击：463 好评：0
封装完整晶圆 晶圆级封装是指晶圆切割前的工艺。晶圆级封装分为扇入型晶圆级芯片封装（Fan-In WLCSP）和扇出型晶圆级芯片封装（Fan-Out WLCSP），其特点是在整个封装过程中，晶圆始终...
