图17共发射极输出特性的三个工作区

3输出特性曲线的几种异常情况

1）大电流特性差（图18a）2）小电流特性压缩（图18b）

3）饱和压降大（图18c）4）特性曲线倾斜（图18d）

5）两段饱和特性（图18e）6）C-E低击穿（图18f）

（图18a）（图18b）

（图18c）（图18d）

（图18e）（图18f）

1-4-4晶体管的分类

1 按结构极性分——NPN和PNP型

2 按频率分——高频（超高频、微波）：fT>3MHz

低频：fT〈3MHz

• 按功率分——大功率：Ptot>1W

小功率：Ptot〈1W

• 按工艺分——平面、台面、台平面，---------等
• 按功能分——放大、振荡、开关、--------等

1-4-5晶体管的主要电参数

1 直流参数

●击穿电压——BVCBO、BVCEO、BVEBO（单位：V）

1）测试方法——在规定的测试电流下，测出两个对应电极间的击穿电压值。（一般在实际测试中，测不到真正的击穿点）。

2）BVEBO的高低决定于——基区的杂质浓度

3）BVCBO的高低决定于——集电区的电阻率

4）BVCEO的高低决定于——BVCBO的高低和β的大小，

而且有关系式：BVCEO = BVCBO /（1+β）1/n

●反向电流——ICBO、ICEO、IEBO（单位：μA或mA)

1）测试方法——在规定的测试电压下，测出两个对应电极间的反向电流值。

2）IEBO、ICBO分别是发射结和集电结的反向漏电流，在正常情况下，应该是一个很小的数值（一般在nA 或μA数量级）。

3）ICEO的大小与ICBO和β有关——ICEO =（1+β）ICBO

4）实际晶体管的反向电流大小决定于晶体管芯片P-N结表面的清洁度——因此，在生产中必须加强清洗工艺。

●　电流放大倍数——hFE

1) 测试方法——在规定的VCE、IC条件下，测出IC和IB值，然后，计算出hFE=IC/IB。

2）hFE的大小决定于——硼、磷扩散的杂质浓度之比以及基区宽度的大小（在硼扩散条件不变的前提下，主要决定于磷扩散条件的控制和调试）。

●饱和压降——VCES、VBES（单位：V）

• 测试方法——在规定的IC和IB条件下，测出VCES、VBES。
• VCES、VBES的大小决定于——
  • 放大倍数hFE的大小
  • 材料电阻率的高低和外延层或高阻层的厚度
  • 上下电极的欧姆接触好坏。