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半导体基础知识与晶体管工艺原理之二

时间:2010-08-14 09:10来源:www.ictest8.com 作者:ictest8 点击:


图17共发射极输出特性的三个工作区

3输出特性曲线的几种异常情况

1)大电流特性差(图18a)2)小电流特性压缩(图18b)

3)饱和压降大(图18c)4)特性曲线倾斜(图18d)

5)两段饱和特性(图18e)6)C-E低击穿(图18f)

(图18a)(图18b)

 

(图18c)(图18d)

(图18e)(图18f)

1-4-4晶体管的分类

1 按结构极性分——NPN和PNP型

2 按频率分——高频(超高频、微波):fT>3MHz

低频:fT〈3MHz

  • 按功率分——大功率:Ptot>1W

小功率:Ptot〈1W

  • 按工艺分——平面、台面、台平面,---------等
  • 按功能分——放大、振荡、开关、--------等

1-4-5晶体管的主要电参数

1 直流参数

●击穿电压——BVCBO、BVCEO、BVEBO(单位:V)

1)测试方法——在规定的测试电流下,测出两个对应电极间的击穿电压值。(一般在实际测试中,测不到真正的击穿点)。

2)BVEBO的高低决定于——基区的杂质浓度

3)BVCBO的高低决定于——集电区的电阻率

4)BVCEO的高低决定于——BVCBO的高低和β的大小,

而且有关系式:BVCEO = BVCBO /(1+β)1/n

●反向电流——ICBO、ICEO、IEBO(单位:μA或mA)

1)测试方法——在规定的测试电压下,测出两个对应电极间的反向电流值。

2)IEBO、ICBO分别是发射结和集电结的反向漏电流,在正常情况下,应该是一个很小的数值(一般在nA 或μA数量级)。

3)ICEO的大小与ICBO和β有关——ICEO =(1+β)ICBO

4)实际晶体管的反向电流大小决定于晶体管芯片P-N结表面的清洁度——因此,在生产中必须加强清洗工艺。

● 电流放大倍数——hFE

1) 测试方法——在规定的VCE、IC条件下,测出IC和IB值,然后,计算出hFE=IC/IB。

2)hFE的大小决定于——硼、磷扩散的杂质浓度之比以及基区宽度的大小(在硼扩散条件不变的前提下,主要决定于磷扩散条件的控制和调试)。

●饱和压降——VCES、VBES(单位:V)

  • 测试方法——在规定的IC和IB条件下,测出VCES、VBES。
  • VCES、VBES的大小决定于——
    • 放大倍数hFE的大小
    • 材料电阻率的高低和外延层或高阻层的厚度
    • 上下电极的欧姆接触好坏。   
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