CMOS器件工艺流程

时间:2023-02-07 10:54来源:芯片测试工程师作者:ictest8_edit 点击: 次

1.衬底选择：选择合适的衬底，或者外延片，本流程是带外延的衬底；

2. 开始：Pad oxide氧化，如果直接淀积氮化硅，氮化硅对衬底应力过大，容易出问题；

接着就淀积氮化硅。

3. A-A层的光刻：STI（浅层隔离）

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