  （1）栅氧化层生长：非常薄，质量非常关键，要控制好厚度，电荷，可动离子等；  （2）POLY淀积：淀积 Insu-Poly，或者后面掺杂后再光刻  （3）POLY光刻、刻蚀：光刻Gate，并刻蚀POLY，然后去胶；    （4）POLY氧化：作为SI3N4 spacer刻蚀的停止层；  |
| （1）栅氧化层生长：非常薄，质量非常关键，要控制好厚度，电荷，可动离子等； （2）POLY淀积：淀积 Insu-Poly，或者后面掺杂后再光刻 （3）POLY光刻、刻蚀：光刻Gate，并刻蚀POLY，然后去胶； （4）POLY氧化：作为SI3N4 spacer刻蚀的停止层； |
