2-2-4光刻工艺

1光刻的目的——在氧化层和金属化层上刻蚀出各种图形，以便下一步进行定域扩散或引出电极。（形成图形）

2光刻的工艺过程：（图27 ）

图27光刻的工艺过程示意

3 光刻的原理

光刻是一种照相与刻蚀相结合的综合技术。它利用光刻胶的光致化学特性，在暴光和显影后，使不暴光区域的光刻胶被去掉，暴光区域的光刻胶留下来，然后，再利用化学腐蚀方法，在氧化层或金属化层上刻蚀出所需要的图形。

4 光刻胶的类型

1）负性胶——黑图形——不暴光——显影去除胶——腐蚀出窗口。

2）正性胶——黑图形——不暴光——显影留下胶——腐蚀时保留

氧化层。

5光刻的质量要求

• 刻蚀图形完整、线条尺寸符合要求。
• 图形边缘整齐、线条陡直。
• 图形内无小岛、不染色、腐蚀干净。
• 片子氧化层上无针孔、表面清洁、不发花、没有残留物质。
• 图形套版准确。

2-2-5蒸发（真空镀膜）工艺

1 蒸发的目的——制作欧姆接触电极。

（正面——E、B电极；背面——C电极）。

2 蒸发的分类1）电阻加热式蒸发2）电子束蒸发3）溅射

3 蒸发的原理

1）电阻加热式蒸发：在真空下，加热熔化金属材料，蒸发出来的蒸汽原子，在真空中直线运动，淀积到硅片表面，形成一层金属薄膜。

2）电子束蒸发：在真空下，具有高能量的电子束高速运动，轰击金属材料表面，使材料局部表面产生高温而熔化，并蒸发出金属原子，在真空中直线运动，淀积到硅片表面，形成一层金属薄膜。

4 蒸发用的金属材料

• 正面蒸发——铝、钛-铝
• 背面蒸发—钒、镍、金、金锗、金锗锑

5 影响蒸发质量的因素

1）真空度2）清洁度（蒸发源、真空室、片子）

3) 蒸发工艺条件（电压、电流、时间等）

6蒸发的质量要求

1）膜厚与均匀性

2）表面质量——光亮、清洁、不沾污、不发灰。

3）不掉铝、掉金。

2-2-6CVD工艺

1CVD的名字解释——化学气相沉积。

2CVD的作用——淀积SIO2、BSG、PSG、SIN，作表面钝化、杂质扩散源、加厚氧化层。

3CVD的原理——在一定的温度和气氛条件下，化合物产生热分解和化合反应，生成钝化层或掺杂氧化层。

例如，SIH4——SI+2 H2

SI + O2——SIO2

4CVD的分类——常压CVD、低压CVD、等离子体CVD

（APCVD）、（LPCVD）、（PECVD）

5CVD的质量要求：

• 膜厚——达到一定的厚度（但不开裂）

• 掺杂浓度——达到R□的要求
• 表面质量——颜色均匀，光亮，不发灰，无“流水”、“气泡”。