 到此，器件工艺完成了，平面图如下：  9. Salicide：Ti与硅形成低阻层Salicide；    只有与硅接触的T与硅反应了，其它区域Ti未反应可以腐蚀掉。  10.ILD淀积及contac形成： （1）BPSG淀积及CMP抛光。  |
到此，器件工艺完成了，平面图如下： 9. Salicide：Ti与硅形成低阻层Salicide； 只有与硅接触的T与硅反应了，其它区域Ti未反应可以腐蚀掉。 10.ILD淀积及contac形成： （1）BPSG淀积及CMP抛光。 |
