 7. NLDD/PLDD的形成： （1）NLDD光刻，注入，去胶；   （2）PLDD光刻，注入，去胶；   （3）Si3N4 spacer的刻蚀：氮化硅淀积及刻蚀   8. NSD/PSD形成： （1）NMOS的源漏注入：Si3N4 spacer挡住的区域NSD注入注不进去，因此NSD区域要离开gate一小段距离；   （2）PMOS源漏注入：做完PSD，一起做一次RTP来退回，激活离子。    |
7. NLDD/PLDD的形成： （1）NLDD光刻，注入，去胶； （2）PLDD光刻，注入，去胶； （3）Si3N4 spacer的刻蚀：氮化硅淀积及刻蚀 8. NSD/PSD形成： （1）NMOS的源漏注入：Si3N4 spacer挡住的区域NSD注入注不进去，因此NSD区域要离开gate一小段距离； （2）PMOS源漏注入：做完PSD，一起做一次RTP来退回，激活离子。 |
