欢迎光临专业集成电路测试网~~欢迎加入IC测试QQ群:111938408

专业IC测试网

当前位置: 网站主页 > 相关技术 > 芯片制造 >

CMOS器件工艺流程(3)

时间:2023-02-07 10:54来源:芯片测试工程师 作者:ictest8_edit 点击:

 
 
 
 
4. Nwell光刻、注入:光刻前都有一层pad oxide,这里也没有画。
 
 
 
Nwell注入:一般要注一个阱,一个防传统注入,一个VT调节注入,三次注入分别对应深,中,浅,注入玩去胶,准备做Pwell注入;
 
 
 
5. Pwell光刻、注入:方式与Nwell类似,注入改为B注入,然后去胶,去胶后要将Nwell和Pwell一起推进,使两者有一定的结深和浓度梯度;
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
6. Gate栅的形成:腐蚀掉表现氧化层,再长一层牺牲氧化层,然后再腐蚀掉牺牲氧化层;
 
 
顶一下
(0)
0%
踩一下
(0)
0%
------分隔线----------------------------
发表评论
请自觉遵守互联网相关的政策法规,严禁发布色情、暴力、反动的言论。
评价:
用户名: 验证码: 点击我更换图片