什么是芯片高温储存可靠性测试？
时间:2026-03-02 19:27来源:Tom聊芯片智造 作者:ictest8_edit 点击:
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高温储存测试的核心逻辑非常简单：不通电，单纯用高温烤，看芯片能放多久不坏。
高温储存测试的核心目的与原理？
高温储存测试的物理基础是 阿伦尼乌斯方程 ：温度每升高 10°C，化学反应速率（老化速率）通常会翻倍。
通过在高温下（如 150°C）长期存放，我们可以模拟芯片在正常温度下（如 25°C 或 55°C）数年甚至数十年的老化过程。
高温储存测试主要用来暴露以下失效机制：
1，金属间化合物 (IMC) 过度生长： 这是最核心的检测点。高温会加速原子扩散，导致焊点中的 IMC 越长越厚。
2，柯肯达尔空洞： 也就是常说的凸点内部空洞，导致焊点内部变空。
3，氧化 ： 检查引脚、镀层在高温下是否会严重氧化导致接触不良。
4，材料退化 ： 塑封料或底部填充胶在高温下是否会分解、变脆或变色。
测试标准与条件？
行业通用标准是 JEDEC JESD22-A103。 测试通常在精密的高温烘箱中进行，不需要加偏压（Unbiased），也就是芯片是不通电的。
常见等级:
125°C —— 消费级芯片（手机、PC）。
150°C —— 工业级、车规级（最常用）。
175°C —— 引擎周边、SiC/GaN 功率器件。
持续时间 ：
标准时长：1000 小时。通常在 168h, 500h, 1000h 取出进行测试。
对于车规级（AEC-Q100 Grade 0），甚至可能要求测到 2000 小时。
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