 HTOL/ LTOL：高/低温操作生命期试验（High/ Low Temperature Operating Life ）目的: 评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力 测试条件: 125℃，1.1VCC, 动态测试 失效机制：电子迁移，氧化层破裂，相互扩散，不稳定性，离子玷污等 参考数据： 125℃条件下1000小时测试通过IC可以保证持续使用4年，2000小时测试持续使用8年；150℃ 1000小时测试通过保证使用8年，2000小时保证使用28年。 参考标准: MIT-STD-883E Method 1005.8 JESD22-A108-A EIAJED- 4701-D101 主要设备：   考核步骤：  HTOL测试相关规范 JESD22-A108B：Temperature, Bias, and Operating Life JESD85：METHODS FOR CALCULATING FAILURE RATES IN UNITS OF FITS JESD47K：Stress-Test-Driven Qualification of Integrated Circuits JESD74：Early Life Failure Rate Calculation Procedure for Semiconductor Components 芯片工作寿命试验、老化试验(Operating Life Test)，为利用温度、电压加速方式，在短时间试验内，预估芯片在长时间可工作下的寿命时间(生命周期预估)。 BI(Burn-in) / ELFR(Early Life Failure Rate)：评估早夭阶段的故障率或藉由BI手法降低出货的早夭率 -DPPM(Defect Parts Per-Million)，针对失效模式中的Infant Mortality，一般测试低于48小时，车规级芯片需要100% BI测试。 HTOL(High Temperature Operating Life)：评估可使用期的寿命时间-FIT / MTTF，针对失效模式中的Wearout，一般需要测试1000小时，属于抽样测试。 在要求点(如0、168、500、1000 hr)进行 ATE 测试，确定芯片是否OK, 记录每颗芯片的关键参数，并分析老化过程中的变化。对芯片覆盖率要求如： · CPU/DSP/MCU/logic：ATPG 的 stuck-at fault coverage ＞ 70％。 · Memory BIST: 覆盖所有 memory。3、模拟电路：覆盖 PLL/AD/DA/SERDES 等关键 IP。 |
