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Flyback Converter的工作原理

时间:2024-08-16 20:27来源:你的芯我的心 作者:ictest8_edit 点击:

 

Flyback Converter即反激变换器或者反激调节器,因此也有称作Flyback Regulator的。一般是指应用在反激电路拓扑中、包含控制单元同时内置功率MOS的一种变换器。这类IC器件在逆变器、OBC等电力电子电路中非常常见,一般用在辅助电源中,因此是非常关键的器件。根据不同的应用场景,目前市场上也有多种不同的规格,主要取决于需要支持的MOS应力大小、输出带载能力等。反激拓扑作为非常经典的电力电子拓扑之一,在电力电子电路中可谓非常受欢迎。下图展示了其基本的拓扑结构。

 

其工作原理也不算复杂,核心是开关管关断或开通过程中的磁链守恒。奥,伟大的磁链守恒定律,伟大的物理学家韦伯!在常规的认识中,我们知道电感电流在正常情况下是不会发生突变的,但是在这里变压器的结构中,原边和副边线圈的线圈通过磁场耦合,我们需要把他们当成一个整体来分析。原边电感电流达到峰值的时候,如果我们突然强行断开原边回路,原边电流瞬间强行被拉到接近于零,但能量却不能瞬间凭空消失,它只有唯一的一条路径那就是通过磁场耦合到副边线圈。因此,此时副边线圈的电流会由零瞬间上升到某一个值。瞬间完成了电-磁-电的转换,奥,多么神奇的一件事情!

下图展示了反激电路换路前后的电流路径。其中二极管的作用是开关闭合时防止能量传递到副边。

 

(1)开关管开通时

 
(2)开关管关断时

下图为DCM模式下理想情况的波形。开关管开通的ton时间内,Vi加到原边线圈两端,此时由于能量无法传递到副边,原边线圈相当于一个电感,原边电流线性上升。开关管关断瞬间发生换路,能量瞬间耦合到副边。原边电流瞬间降到零(理想情况);与此同时副边电流瞬间上升,且此时二极管不再阻碍电流经过。如果此时负载电压稳定,则副边线圈被负载电压箝位,由于原边回路断开,副边线圈也可以看成一个电感,电流线性下降。因为是断续模式,因此再经过一段时间使得关断时间达到toff后,开关管会再次导通,如此循环......

 
在实际的电路中需要额外注意的是:反激开关电源在MOS管关断时,次级绕组折回电压会和电源输入电压叠加在一起,加载到MOS管的DS两端。如果耦合电感器的耦合不完美,变压器初级绕组漏感存储的能量无法向次级绕组传递,此多余能量会产生额外的电压尖峰(初级绕组的漏感和MOS管的寄生电容产生了谐振)。

如果不注意吸收此谐振尖峰使得MOS过应力,会影响功率MOS的正常工作甚至导致其失效。考虑这一点,常见的保护措施有采用RCD吸收电路——即由电阻、电容、二极管组成的吸收电路,如下图所示。由于Uds电压升高是初级绕组漏感瞬变电流感应产生的电压(初级绕组漏感存储的能量)向MOS管的寄生电容进行充电,导致其电压增大。当二极管D导通,由于电容C比MOS管的寄生电容大得多,漏感电流流入电容C进行充电; 当MOS管导通时,二极管反向截止,电容能量通过电阻泄放。

 
除RCD吸收电路之外,消除谐振尖峰的其他方式还包括有源箝位吸收电路和LCD吸收电路,此处不再详细展开。以上是关于主回路的工作原理的梳理,下面主要围绕控制回路展开。

如下图所示,Flyback电路中变压器除了原边和副边(副边可能有多路)通常还有一个专门的辅助aux绕组(即图中的L3),一方面可以作为一路电压源输出,另一方面通过分压电阻分压后作为反馈信号给到控制回路。图中LM234为电压反馈的误差放大器,LM311为比较器将电压误差放大信号同R5两端电压Uif比较输出给锁存器,进而生成PWM信号控制开关管的通断(由于Uif正比于原边电流,因此这里为典型的电压电流双闭环控制方案)。

 

接下来以此控制方案为例,简要分析下开关管开通和关断的自动控制逻辑。首先,假设MOS初始状态为断开状态。Vin刚上电,在其达到开启阈值电压之前,由于原边为断开状态,原边电压为零,辅助绕组电压也为零,因此VFB同样为零。此时LM234之间有一个正Uref的输入,并放大到输出端也为正电压,而此时Uif也为零,因此触发器R端为低电平。当clock信号输出高电平,Q端被置位,MOS管S2获得正的栅源电压,因此开通。

开关管导通阶段,随着L1两端电压爬升,反馈绕组由于二极管截止输出电压仍为零,误差放大器输出不变。然而此时Uif是线性上升的。当其增加到大于误差放大器输出时,比较器输出高电平,Q端复位,开关管关断。从而完成了第一个开关周期。

后续C2充电完成L3输出端如果能够保持正常范围的输出电压,误差放大器则将继续实时检测其偏离程度。一旦输出受到负载或者其他因素的影响被拉低或者出现过冲,都会在误差放大器的输出体现,同时电流环将被结合起来进行快速的闭环动态调整。

以上是关于反激电路的浅浅总结,涉及控制环路的知识自觉掌握得还不够坚实,也在努力充电中。后续将试图从芯片的角度结合实际应用再挖掘一番
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