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【一】理解DDR基本原理

时间:2023-09-11 18:56来源:一个人一支队伍 作者:ictest8_edit 点击:

 

1 内存的种类
         
       内存(Memory)又可分为 DRAM(Dynamic Random Access Memory)动态随机存取内存和 SRAM (Static Random Access Memory)静态随机存取内存两种。两种都是挥发性的内存,SRAM 的主要使用 flip-flop 正反器,通常用于快取 (Cache),而 DRAM 则是使用电容器及晶体管组成。
        DDR(Double Data Rate)其实指的是 DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM),SDRAM 及 DDR 主要差异有三点整理如下:
 
2 DDR 历代规格介绍
        我们常说的DDR,亦即DDR SDRAM,指的是PC端或者消费电子(手机,平板)中的内存,是“Double Data Rate SynchronousDynamic Random Access Memory”(双数据率同步动态随机存储器)的简称,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据,其主要作用是为了和CPU频率同步,进而大大提高数据传输效率。
        有了内存的认识之后,这边将历代 DRAM 的规格整理如下:
 
      SDRAM从发展到现在已经经历了四代,分别是:第一代SDR SDRAM,第二代DDR SDRAM,第三代DDR2 SDRAM,第四代DDR3 SDRAM,现在已经发展到DDR5 SDRAM。
第一代SDR SDRAM,单边沿传输数据;
DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory(双数据率同步动态随机存储器)的简称,为第二代SDRAM标准。其常见标准有DDR 266、DDR 333和DDR 400。其对于SDRAM,主要它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据,这样不需要提高时钟的频率就能实现双倍的SDRAM速度,例如DDR266内存与PC133 SDRAM内存相比,工作频率同样是133MHz,但在内存带宽上前者比后者高一倍。这种做法相当于把单车道更换为双车道,内存的数据传输性能自然可以翻倍。
      DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)开发的第三代SDRAM内存技术标准,1.8v工作电压,240线接口,提供了相较于DDR SDRAM更高的运行效能与更低的电压,同样采用在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即4bit数据读预取能力),其常见的频率规范有DDR2 400\533\667\800\1066\1333等,总线频率553MHz的DDR2内存只需133MHz的工作频率

DDR3 SDRAM相比起DDR2具备更低的工作电压(1.5v),240线接口,支持8bit预读,只需133MHz的工作频率便可实现1066MHz的总线频率。其频率从800MHz起跳,常见频率有DDR3 800\1066\1333\1600\1866\2133等。DDR3是当前流行的内存标准,Intel酷睿i系列(如LGA1156处理器平台)、AMD AM3主板及处理器的平台都是其“支持者”。

DDR4相比DDR3最大的区别有三点:16bit预取机制(DDR3为8bit),同样内核频率下理论速度是DDR3的两倍;更可靠的传输规范,数据可靠性进一步提升;工作电压降为1.2V,更节能
目前已经发展到DDR5 SDRAM;
     DDR到DDR5的主要变化主要表现在DDR的性能,容量和省电三个方面:IO的速率也越来越高,规范的工作电压越来越低,芯片容量越来越大。除了电压,容量和IO的速率变化之外,还包含Bank,Bank Group,PrefetchQ和Burst Length的演进,bank数越来越多,到DDR4出现bank group,prefetch也从2n增加到4n,8n。
 
     虽然我们说现在DDR4的最大速率是3200MT/s, 但是这是指的DDR4的IO频率,即DDR4和memroy controller之间的接口数据传输速率。那么DRAM是怎么实现用比较低的核心传输频率来满足日益高涨的高速IO传输速率的需求呢?这就是靠prefetch来实现的。
 
从DDR开始到DDR3很好理解,Prefetch相当于DRAM core同时修了多条高速公路连到外面的IO口,来解决IO速率比内部核心速率快的问题,IO数据速率跟核心频率的倍数关系就是prefetch
burst length的长度跟CPU的cache line大小有关。Burst length的长度有可能大于或者等于prefetch。但是如果prefetch的长度大于burst length的长度,就有可能造成数据浪费,因为CPU一次用不了那么多。所以从DDR3到DDR4,如果在保持DDR4内存data lane还是64的前提下,继续采用增加prefetch的方式来提高IO速率的话,一次prefetch取到的数据就会大于一个cache line的大小 (512bits),对于目前的CPU系统,反而会带来性能问题。
DDR4出现了Bank Group,这就是DDR4在不改变prefetch的情况下,能继续提升IO速率的秘密武器。DDR4利用Bank group的interleave,实现IO速率在DDR3基础上进一步提升。
2.1 Prefetch原理
 
Prefetch字面意思就是预存取,每一代的DDR预存取大小不同,详见第2章中表格。以DDR3为例,它的Prefetch=8n,相当于DDR的每一个IO都有一个宽度为8的buffer,从IO进来8个数据后,在第8个数据进来后,才把这8个数据一次性的写入DDR内部的存储单元。下图是一个形象的解释,同时我们关注一下几个速率。DDR3的时钟是800MHz,Data Rate是1600Mbps,由于这个Buffer的存在,DDR内部的时钟只需要200MHz就可以了(注意DDR内部不是双比特翻转采样)。
 
我们来做一个频率对照表,如下:
 
DDR内部的最小存储单元(1bit)是一个晶体管+一个电容,电容会放电,需要不断的“刷新”(充电)才能保持正常的工作状态,由于电容充放电需要时间,DDR内部的频率受限于此,很难提高,目前技术一般在100~200MHz。因此需要用Prefetch技术来提内部数据高吞吐率(其实就是串并转换原理)。Prefetch位宽的提高,是DDR2,3,4非常显著的变化。
第一段提到,对于DDR3,在第8个数据进来后,FIFO满了,然后才把这8个数据一次性的写入DDR内部的存储单元,那么必须要求DDR的内部时钟和外部时钟有一定的约束关系,FIFO满的时候一定是以DQS下降沿采样结束的,数据手册中对DQS的下降沿与clk有一个建立时间和保持时间的约束要求的目的原来是这样。
         
2.2 总结
        DDR核心技术点就在于(1)双沿传输。(2)预取prefetch.
        DDR的频率:(1)核心频率 (2)时钟频率 (3)数据传输频率;核心频率就是内存的工作频率;DDR1内存的核心频率是和时钟频率相同的,到了DDR2和DDR3时才有了时钟频率的概念,就是将核心频率通过倍频技术得到的一个频率。数据传输频率就是传输数据的频率。DDR1预读取是2位,DDR2预读取是4位,DDR3预读取是8位。
      DDR4和LPDDR4是两种不同类型的内存,它们的主要区别在于功耗和性能方面。
      DDR4是桌面和笔记本电脑常用的内存类型,相对于前一代DDR3来说功耗更低、速度更快、容量更大。 DDR4内存通常可以在较高的时钟速率下运行,因此具有更好的数据传输速度和响应时间。然而,DDR4内存对于移动设备来说可能过于耗电,因此在移动设备上使用可能不太适合。
       LPDDR4是专门为移动设备设计的内存类型。它比DDR4内存消耗更少的电力,并且可以在更低的电压下运行,从而延长了移动设备的电池寿命。尽管LPDDR4的时钟速率比DDR4慢一些,但由于其专门为移动设备设计,因此在移动设备上表现更好。
       总之,DDR4和LPDDR4都是不同类型的内存,它们的主要区别在于功耗和性能方面。DDR4适用于桌面和笔记本电脑等高性能计算机,而LPDDR4则适用于需要长时间使用移动设备的用户。
        与DDR相比,LPDDR内存全称是Low Power Double Data Rate SDRAM,中文意为低功耗双倍数据速率内存,又称为mDDR(Mobile DDR SDRM),主要针对于移动端电子产品。
       LPDDR4X何以看作是LPDDR4的省电优化版本,比LPDDR4功耗更低、更省电;目前市面上主流旗舰手机内存使用的都是LPDDR4X和LPDDR4,由于二者经常同时出现,名字也十分相以,所以很容易让人混滑。
 
DDR: 英文全称Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory。它主要应用在普通内存条;
LPDDR: 英文全称Low Power Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory。它主要应用在智能手机,智能手表等对功耗,体积敏感得产品;
GDDR: 英文全称Graphics Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory。主要用于高速图像处理的场合,比如计算机的显卡中,可以简单理解为专门为显卡而做的DDR内存,这种内存与普通DDR相比,拥有更高的时钟频率和更小的发热量。
         
 
   
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