[可靠性测试] IC封装样品失效分析方法、原理、设备知识 日期：2022-07-03 15:18:31 点击：4869 好评：-10
一、IC封装样品失效分析 FA(Failure Analysis),失效分析不仅有助于提高产品可靠性，而且可以带来很高的经济效益，是IC生产中不可缺少的部分。 按照分析目的或分析手段，FA可分为： PFA...
[测试工程] 详解电源IC失效分析 日期：2022-06-12 11:46:44 点击：1099 好评：-2
在我们项目开发和产品量产过程中总是会出现一些 IC 损坏的现象，通常要想找出这些 IC损坏的根本原因并不总是很容易。有些偶发性的损坏很难被重现，这时的难度就会更大。而且有些...
[测试工程] 关于芯片低功耗测试的思考 日期：2022-06-12 11:43:43 点击：471 好评：2
随着芯片集成度的不断增加，芯片的功能越来越复杂，芯片测试的数据量 和测试时间都快速增加，且芯片在测试时的功耗远大于工作模式时的功耗， 因此会导致芯片过热，引起测试错...
[测试工程] 功率半导体模块封装可靠性试验-功率循环测试 日期：2022-06-12 11:05:40 点击：1442 好评：0
功率半导体器件是新能源、轨道交通、电动汽车、工业应用和家用电器等应用的核心部件。特别是随着新能源电动汽车的高速发展，功率半导体器件的市场更是爆发式的增长，区别于消...
[测试工程] AEC Q100 标准简介 日期：2022-06-05 11:11:42 点击：392 好评：2
AEC Q系列标准目前是汽车电子行业零部件供应商的重要指南。 背景： 汽车制造商根据各自设计及使用要求对选用的元器件进行评价，导致评价标准不一致，不利于汽车级元器件的技术发...
[测试工程] BHAST原理及板子设计加工制造注意事项 日期：2022-05-20 21:09:27 点击：2841 好评：26
可靠性测试中，一般HTOL大家做的比较多，对其原理和老化板设计相对熟悉些，一般根据芯片应用电路图，结合使用的老化机台，测试pattern和DUT，配置测试通道和外围电路即可。但对于...
[测试工程] 如何判断IC失效是由EOS还是ESD引起的？ 日期：2022-05-17 20:05:33 点击：1767 好评：13
在电子器件组装过程中，EOS(Electrical Over Stress)与 ESD（Electrical Static Discharge）造成的集成电路失效约占现场失效器件总数的50%，且通常伴随较高不良率以及潜在可靠性问题，是产线一大杀...
[测试工程] 常见IGBT功率模块可靠性测试项目及测试方法 日期：2022-05-17 19:14:57 点击：4559 好评：49
IGBT功率模块的可靠性，是指器件在一定时间内、一定条件下无故障的运行的能力，是功率模块最重要的品质特性之一。 要满足现代技术和生产的需要，获得更高的经济效益，必须使用...
[测试工程] ESD Latch up测试简介 日期：2022-05-04 10:35:08 点击：715 好评：10
本文详细讲解了ESD 和latch up测试的技术要点，敬请参考...
[可靠性测试] 芯片ESD的原理和测试介绍 日期：2022-05-03 21:14:10 点击：1176 好评：8
静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)，应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力(EOS: Electrical Over Stress)破坏的主要元凶。因为静电通常瞬间电压非常高(几千伏)，所以这种损...
