[测试基础理论] LDO基础知识 日期：2022-12-07 14:21:59 点击：843 好评：0
1、当输入电压与目标输出电压压差不满足Vdropout，会发生什么？ 2、决定Vdropout电压大小的因素是什么？ 3、芯片选定后，Vdropout电压就是固定的吗？与电压，电流是否有关？ 4、温度，直流电...
[测试基础理论] EMC基础知识 日期：2022-12-06 16:44:14 点击：423 好评：2
EMC基础知识 射频工程师的日常 2022-10-19 06:00发表于江苏 副标题 副标题...
[测试理论] NAND FLASH简介 日期：2022-09-27 15:14:25 点击：647 好评：0
Flash全名叫做Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，与此相对应的是易失性存储设备(Volatile Memory Device)。关于什么是非易失性/易失性，从名字中就可以看出，非易失性...
[测试理论] FLASH闪存产品概述 日期：2022-09-27 14:57:40 点击：483 好评：0
随着国内对集成电路，特别是存储芯片的重视，前来咨询我们关于NOR Flash，NAND Flash，SD NAND, eMMC, Raw NAND的客户越来越多了。这里我们专门写了这篇文章： 1、把常用的存储产品做了分类...
[测试理论] 线性电源LDO基础知识：电源抑制比 日期：2022-07-30 17:18:15 点击：572 好评：4
PSRR是一个常见的技术参数，在许多LDO datasheet里都能看到，他规定了在特定频率的交流信号从LDO输入到输出的衰减程度...
[测试理论] 详解SPI协议 日期：2022-07-23 13:07:40 点击：596 好评：0
SPI协议作为一个芯片常用的通讯接口协议，作为测试工程师有必要详细了解一下，接下来我们一起学习一下SPI 1、什么是SPI？ SPI是串行外设接口(Serial Peripheral Interface)的缩写，是 Motoro...
[测试理论] 通俗易懂的I2C协议 日期：2022-07-23 12:55:27 点击：652 好评：10
I2C总线是一种简单、双向二线制同步串行总线。 I2C通讯协议因其引脚少，硬件实现简单，可扩展性强，不需要USART、CAN等通讯协议的外部收发设备等优点，被广泛地使用在系统内多个集...
[测试理论] 功率MOSFET基础详解 日期：2022-07-23 12:29:57 点击：1507 好评：10
功率MOSFET作为一个应用及其广泛的基础元器件，我们测试工程师有必要深入了解一下，如下为power MOS的详细介绍，敬请参考 副标题 副标题 副标题 副标题...
[测试理论] 晶圆允收测试技术详解-WAT PCM参数 日期：2022-07-23 10:46:12 点击：4474 好评：20
晶圆允收测试，也叫WAT（wafer acceptance test），或者叫PCM参数测试，通常在晶圆在完成加工后，对晶圆上的各种结构进行的电性测试，主要测试耐压，漏电，电阻，电容等参数，通过WAT数...
[测试理论] Boost升压电路原理及设计详解 日期：2022-07-16 19:53:05 点击：714 好评：6
Boost电路是一种开关直流升压电路，它能够使输出电压高于输入电压。在电子电路设计当中算是一种较为常见的电路设计方式。本文将给大家介绍boost基本原理、电路参数设计。 首先我...
