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芯片测试的几个术语及解释(CP、FT、WAT)

时间:2016-09-22 11:34来源:www.ictest8.com 作者:ictest8_edit 点击:

CP是把坏的Die挑出来,可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把坏的chip挑出来;检验封装的良率。

现在对于一般的wafer工艺,很多公司多把CP给省了;减少成本。

CP对整片Wafer的每个Die来测试

FT则对封装好的Chip来测试。

CP Pass 才会去封装。然后FT,确保封装后也Pass

WATWafer AcceptanceTest,对专门的测试图形(test key)的测试,通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定;

CPwafer levelchip probing,是整个wafer工艺,包括backgrindingbackmetalif need),对一些基本器件参数的测试,如vt(阈值电压),Rdson(导通电阻),BVdss(源漏击穿电压),Igss(栅源漏电流),Idss(漏源漏电流)等,一般测试机台的电压和功率不会很高;

FTpackaged chip levelFinal Test,主要是对于这个(CPpassedICDevice芯片应用方面的测试,有些甚至是待机测试;

Pass FP还不够,还需要做process qual product qual

CP 测试对Memory来说还有一个非常重要的作用,那就是通过MRA计算出chip level Repair address,通过Laser RepairCP测试中的Repairable die 修补回来,这样保证了yieldreliability两方面的提升。

CP是对wafer进行测试,检查fab厂制造的工艺水平

FT是对package进行测试,检查封装厂制造的工艺水平

对于测试项来说,有些测试项在CP时会进行测试,在FT时就不用再次进行测试了,节省了FT测试时间;但是有些测试项必须在FT时才进行测试(不同的设计公司会有不同的要求)

一般来说,CP测试的项目比较多,比较全;FT测的项目比较少,但都是关键项目,条件严格。但也有很多公司只做FT不做CP(如果FT和封装yield高的话,CP就失去意义了)。

在测试方面,CP比较难的是探针卡的制作,并行测试的干扰问题。FT相对来说简单一点。还有一点,memory测试的CP会更难,因为要做redundancy analysis,写程序很麻烦。

 

CP在整个制程中算是半成品测试,目的有2个,1个是监控前道工艺良率,另一个是降低后道成本(避免封装过多的坏芯片),其能够测试的项比FT要少些。最简单的一个例子,碰到大电流测试项CP肯定是不测的(探针容许的电流有限),这项只能在封装后的FT测。不过许多项CP测试后FT的时候就可以免掉不测了(可以提高效率),所以有时会觉得FT的测试项比CP少很多。

应该说WAT的测试项和CP/FT是不同的。CP不是制造(FAB)测的!

CP的项目是从属于FT的(也就是说CP测的只会比FT少),项目完全一样的;不同的是卡的SPEC而已;因为封装都会导致参数漂移,所以CP测试SPEC收的要比FT更紧以确保最终成品FT良率。还有相当多的DHwafer做成几个系列通用的die,在CP是通过trimming来定向确定做成其系列中的某一款,这是解决相似电路节省光刻版的最佳方案;所以除非你公司的wafer封装成device是唯一的,且WAT良率在99%左右,才会盲封的。

据我所知盲封的DH很少很少,风险实在太大,不容易受控。

WATwafer level 的管芯或结构测试

CPwafer level 的电路测试含功能

FTdevice level 的电路测试含功能

 

CP=chip probing

FT=Final Test

CP 一般是在测试晶圆,封装之前看,封装后都要FT的。不过bumpwafer是在装上锡球,probing后就没有FT

FT是在封装之后,也叫“终测”。意思是说测试完这道就直接卖去做application

CPproberprobe cardFThandlersocket

CP比较常见的是roomtemperature=25度,FT可能一般就是7590

CP没有QA buy-off(质量认证、验收),FT

CP两方面

  1. 监控工艺,所以呢,觉得probe实际属于FAB范畴

  2. 控制成本。Financial fate。我们知道FT封装和测试成本是芯片成本中比较大的一部分,所以把次品在probereject掉或者修复,最有利于控制成本

FT:

终测通常是测试项最多的测试了,有些客户还要求3温测试,成本也最大。

至于测试项呢,

  1. 如果测试时间很长,CPFT又都可以测,像trim项,加在probe能显著降低时间成本,当然也要看客户要求。

  2. 关于大电流测试呢,FT多些,但是我在probe也测过十几安培的功率mosfet,一个PAD上十多个needle

  3. 有些PAD会封装到device内部,在FT是看不到的,所以有些测试项只能在CP直接测,像功率管的GATE端漏电流测试Igss

CP测试主要是挑坏die,修补die,然后保证die在基本的spec内,functionwell

FT测试主要是package完成后,保证die在严格的spec内能够function

CP的难点在于,如何在最短的时间内挑出坏die,修补die

FT的难点在于,如何在最短的时间内,保证出厂的Unit能够完成全部的Function

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