[测试基础理论] 几种高效的电路分析方法 日期：2023-05-04 11:38:20 点击：299 好评：-2
对电路进行分析的方法很多，如叠加定理、支路分析法、网孔分析法、结点分析法、戴维南和诺顿定理等。根据具体电路及相关条件灵活运用这些方法，对基本电路的分析有重要的意义...
[测试理论] 辐射超标EMC晶振干扰案例 日期：2023-04-28 15:13:32 点击：796 好评：2
我们常把晶振比喻为数字电路的心脏，这是因为，数字电路的所有工作都离不开时钟信号，晶振直接控制着整个系统，若晶振不运作那么整个系统也就瘫痪了，所以晶振是决定了数字电...
[测试基础理论] 芯片老化测试的分类/测试弹片 日期：2023-04-26 09:59:56 点击：214 好评：2
随着芯片打入汽车、云计算和工业物联网等市场，芯片的可靠性渐渐成为开发人员关注的重点。每个终端市场都有其独特的需求与特征，影响着芯片的使用方法与条件，而芯片的使用方...
[测试理论] 干货！芯片测试 日期：2023-04-25 10:16:58 点击：775 好评：0
做一款芯片最基本的环节是设计-流片-封装-测试，芯片成本构成一般为人力成本20%，流片40%，封装35%，测试5%【对于先进工艺，流片成本可能超过60%】。 测试其实是芯片各个环节中最便...
[测试基础理论] 为什么有时在PCB走线上串个电阻？有什么用？ 日期：2023-04-23 13:50:29 点击：476 好评：2
由于电信号在PCB上传输，我们在PCB设计中可以把PCB走线认为是信号的通道。当这个通道的深度和宽度发生变化时，特别是一些突变时，都会产生反射。此时，一部分信号继续传播，一部...
[测试基础理论] ESD防护设计—NMOS的妙用（二） 日期：2023-04-23 13:33:07 点击：493 好评：0
这期继续分享NMOS在ESD防护中的妙用。上期讲到改变GGNMOS中反偏结的击穿电压可以实现对 Trigger Voltage 的改变。而众多改变反偏结击穿电压的方法无论是改变掺杂浓度还是改变拓扑结构，...
[测试基础理论] ESD防护设计—NMOS的妙用（一） 日期：2023-04-23 11:30:17 点击：1557 好评：8
在芯片级ESD防护中最普遍的器件就是增强型NMOS（下文中的NMOS都是增强型），接下来的几期会浅谈一下NMOS在ESD防护中的作用与设计思路。...
[测试基础理论] 芯片测试手段及注意事项 日期：2023-04-20 10:00:58 点击：557 好评：0
芯片测试是极其重要的一环，有缺陷的芯片能发现的越早越好。在芯片领域有个十倍定律，从设计 -- 制造 -- 封装测试 -- 系统级应用，每晚发现一个环节，芯片公司付出的成本将增加十...
[芯片相关原理] MOSFET和IGBT区别 日期：2023-04-20 09:35:57 点击：395 好评：0
MOSFET 和 IGBT 的概念 场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。 mosfet是什么意思 金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Me...
[测试基础理论] 关于CAN总线通讯的电磁兼容EMC设计 日期：2023-04-18 13:16:29 点击：354 好评：0
CAN的目的是用多点、串行数字通讯技术取代常规的直接导线信号连接，可以节省大量车载设备的电缆布线。由于CAN总线芯片可靠性高、协议精练、价格低、货源广泛，因而在工业测控领...
