 使用具有阻性负载的PMOS的高边驱动设计使用PMOS的高边驱动设计是驱动高边负载的一种简单方法。高边驱动是一个术语，因为一旦开关打开，它就会将负载连接到电路电源以完成电流路径。负载不仅限于阻性负载，它也可以是继电器和灯等感性负载。在本文中，我们将重点介绍电阻负载。使用PMOS进行高边驱动设计的电路原理图下面的图1是我们想要设计的高边驱动的电路原理图。Rlimit并非一直是必需的。在开关电源中使用功率MOSFET时，这是必须的。功率MOSFET具有高输入电容。在启动过程中，该电容充当短路，因此初始峰值电流很大，可能会损坏驱动MOSFET栅极的元件。在开关电源中将这个Rlimit添加到功率MOSFET的另一个原因是为了最小化dv/dt。过高的dv/dt会损坏MOSFET，尤其是在较高温度下运行时。在小信号MOSFET中，这不是必需的。 图1: 在开关电源中使用功率MOSFET时，可以根据MOSFET供应商的建议设置Rlimit的值。这通常小于100Ω。 R1是必须包含的。这将确保在输入电压被移除或保持浮动时MOSFET将保持关闭状态。R1可以设置为10kΩ或更高。 对于PMOS，栅极电压必须小于源电压。该差值必须高于MOSFET的栅极阈值电压。 在上述电路中，如果满足以下条件，Vin可以来自微控制器或数字信号控制器/处理器： a.)小信号MOSFET 如果MOSFET只是一个小信号，则输入电容不是问题，并且不会因大浪涌电流而损坏微控制器或数字IC的危险。 b.)电路Vdd仅在微控制器或数字ic的Vcc水平范围内 当Vdd水平高于微控制器或数字ic的Vcc水平，通常为5V时，MOSFET不能由微控制器或数字ic驱动。其原因是你不能关闭MOSFET。为了关闭一个PMOS，栅极必须等于或高于源。假设上述电路中的Vdd电平为12V，Vin来自于引脚电压为5V的微控制器，则没有办法关闭MOSFET。栅极始终低于源极（12V-5V）。 |
