  如何确保Q2将达到硬饱和打开Q2是不够的。它必须进入硬饱和状态。进入硬饱和意味着Q2的电压降可以忽略不计。如果Q2不能进入硬饱和，则压降很大。这不是我们想要的高边驱动。检查施加的VBE我们在这里讨论的施加的VBE是考虑到BJT关闭，基极和发射极结两端的电压。在BJT电路中，当BJT导通时，基极-发射极结两端的电压固定（二极管压降）对于硅和锗材料，分别为0.7V或0.3V。但是，如果施加的VBE没有超过二极管压降水平，则不会发生这种情况。要检查，让我们在下面做。VBE BJTOff=VBE BJTOff–Voltage emiter BJT Off VBE BJTOff=V1*R2/（R2+R3）=12V*1K/（1K+10K）=1.09V VBE BJT off=Voltagebase BJT off–Voltage emiter BJToff Voltage base BJToff=V1*R2/(R2+R3)=12V*1K/(1K+10K)=1.09V 上述分析认为Q1也处于硬饱和状态。 Voltage emiter BJToff=12V VBEBJTOff=VBE BJTOff–Voltage emiter BJTOff=1.09V–12V= -10.91V VBE BJT off=VoltagebaseBJToff–Voltage emiter BJToff=1.09V–12V= -10.91V 当BJT关闭时、施加的VBE为-10.91V。这比-0.3V或0.7V二极管压降更大。电压的负号表示PNPBJT晶体管。具体来说，对于BC807BJT，VBE要求最大为-1.2V。  由于晶体管关断时施加的VBE远高于要求，因此晶体管将导通。因此，基极和发射极结两端的电压被箝位到二极管电平。 设定偏移以获得硬饱和度硬饱和意味着设备不再放大。在实践中，计算出的最大增益远小于元件数据表中规定的最小增益，则认为是硬饱和。增益是集电极电流（Ic）除以基极电流（Ib）。 增益（β或HFE），最大值=Icmax/Ibmin 在求解Icmax时，集电极-发射极两端的压降可以忽略不计，因此计算直接为 Icmax=VEE/Rc 其中VEE是连接到发射极的电源（在上面的电路中为V1），而Rc是集电极中的电阻。 在上面的电路中，集电极电流已经为200mA。这是直接用于增益方程的集电极电流。 基极电流可以计算为 Ib=IR2–IR3 IR3=VBE/R3 IR2=（V1–VBE）/R2 Ib=（V1–VBE）/R2–（VBE/R3） Ib=（12V–1.2V）/1K–（1.2V/10K）=0.01068A 因此，计算出的最大增益为 增益（β或HFE），最大值=0.200A/0.01068A= 18.73 根据BC807-40，最小元件增益为250。  计算出的最大增益为18.73，远小于元件的最小增益。因此，BJT将饱和。 对于许多设计工程师来说，最大计算增益等于10或更低是被认为是硬饱和（经验法则）的增益。如果我们要将该值应用于上述电路，则需要增加R2的值。 考虑将R2的值减半， Ib=（V1–VBE）/R2–（VBE/R3） Ib=（12–1.2V）/500–（1.2V/10K）=0.02148A 新的最大计算增益为 增益（β或HFE），最大值=0.200A/0.02148= 9.31 新的最大计算增益小于10。毫无疑问，BJT将进入硬饱和状态。 应用于Q2的关于如何确保其开启并进入硬饱和的原则将同样应用于Q1。 |
