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​芯片失效分析之案例篇

时间:2024-07-30 19:27来源:旺材芯片 作者:ictest8_edit 点击:

 

 
芯片失效分析的步骤

1. 外观检查。
2. X-ray。
3.声学扫描显微镜检查。
4.I-V曲线测试。
5.化学解封装后内部视检。
6.微光显微镜检查。
 
 芯片失效分析案例
 
1. 案例背景
 
收到客户样品2Pcs芯片,客户描述1Pc为NG样品,另1Pc为OK样品,根据客户要求进行失效分析原因。
 
 
 
2.分析方法简述
 
2.1 外观检查
 
 
 
  OK芯片外观形貌
 
 

 NG芯片外观形貌
 
说明:光学显微镜检查显示OK样品正面、背面以及侧面无其他明显外观异常。检查显示NG样品正面、背面及侧面均有助焊剂残留及黑胶残留。
 
 2.2 X-射线检查

 

OK芯片X-Ray形貌
 
 

NG芯片X-Ray形貌
 
说明:X-射线检查显示OK样品与NG样品内部形貌一致,内部键合线不一致,无其他明显内部异常。
 
2.3声学扫描显微镜检查

 
 
 OK芯片C-SAM形貌

 

NG芯片C-SAM形貌
 
说明:声学扫描显微镜检查显示OK样品与NG样品芯片表面及引线框面均无明显异常。
 
2.4 I-V曲线测试 
                           
 
 
  OKI-V曲线测试图
 
 

NGI-V曲线测试图
 
说明: I-V测试曲线分析(电流500uA/电压500mV),NG样品测试曲线有VCC对GND存在差异,可能存在微漏电情况。
 
 
2.5 化学解封装后内部视检
 
 

OK芯片化学解封装后内部形貌
 
 

 NG芯片化学解封装后内部形貌
 
说明:化学解封装后光学显微镜检查显示OK样品与NG样品形貌一致,无其他异常特征。
 
 
2.6 微光显微镜检测

 
 
NG样品微光显微镜检测形貌
 
说明:微光显微镜检测(5V电压、1mA电流)显示NG样品芯片GND对VCC间存在漏电异常现象。

失效分析结论
 
对客户提供的NG样品芯片进行外观检查,I-V测试曲线分析以及结合微光显微镜检测结果,推测芯片失效的原因是芯片内部轻微漏电,导致工作异常。
 
 
 
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