芯片半导体制造的有关知识与展望(2)_专业集成电路测试网-芯片测试技术-ic test

接下来先把总的流程看一下，然后再细化表格；芯片设计这块也不进行展开了，因为每种芯片功能属性，半导体特性不一样制造工艺会有微调，只聊一下传统多见的工艺，如下：

晶圆生产线可以分成7个独立的生产区域：扩散（Thermal Process）、光刻（Photo- lithography）、刻蚀（Etch）、离子注入（Ion Implant）、薄膜生长（Dielectric Deposition）、抛光（CMP）、金属化（Metalization）。这7个主要的生产区域和相关步骤以及测量等都是在晶圆洁净厂房进行的。在这几个生产区都放置有若干种半导体设备，满足不同的需要。例如在光刻区，除了光刻机之外，还会有配套的涂胶/显影和测量设备。

传统封装工艺流程
传统封装（后道）测试工艺可以大致分为背面减薄、晶圆切割、贴片、引线键合、模塑、电镀、切筋/成型和终测等8个主要步骤。与IC晶圆制造（前道）相比，后道封装相对简单，技术难度较低，对工艺环境、设备和材料的要求也低于晶圆制造。
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