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  • [相关技术] 3种典型的TL431应用电路及注意事项! 日期:2023-09-25 13:49:28 点击:585 好评:2

    1.TL431简介 TL431是常用的三端并联稳压器,具有较好的热稳定性,输出电压可以设置为Vref~36V之间的任何值。被广泛用作基准源、比较器、运放等功能。在隔离电源中,TL431经常与光耦配...

  • [芯片制造] 半导体器件的击穿原理、失效机制(下) 日期:2023-09-22 15:45:29 点击:351 好评:2

    在上篇文章中 (点击查看上篇文章) 我们讲述了半导体器件击穿原理前五个部分,本文将继续为读者们讲述剩下的内容。 图[6]SJ MOSFET剖面示意图 图[7]SJ MOSFET内部电场仿真示意图 综上...

  • [相关技术] 半导体器件的击穿原理、失效机制(上) 日期:2023-09-22 13:20:03 点击:417 好评:0

    一、半导体器件击穿原理 PN结I-V曲线如图[1]所示:PN结正向导通,反向截止;反向电压超过一定限值VBR,器件发生电击穿;正向导通时,电流超过一定限值(图示绿色区域之外),器件...

  • [相关技术] Boost升压型DC-DC转换电路工作原理步骤 日期:2023-09-21 21:32:00 点击:278 好评:0

    DC-DC转换器分为三类:Boost升压型DC-DC转换器、BUCK降压型DC-DC转换器以及 Boost-BUCK升降压型DC-DC转换器三种,如果电路低压采用DC-DC转换电路,应该是Boost升压型DC-DC转换电路,并且输入电压...

  • [相关技术] 瞬态热阻抗准确计算IGBT模块结壳热阻的方法 日期:2023-09-21 20:31:00 点击:244 好评:0

    随着半导体技术的迅速发展以及绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar translator,IGBT)模块的普遍应用,电力电子可靠性要求不断提高,而过热失效这一主要失效原因亦成为IGBT器件研...

  • [相关技术] 为什么开关电源需要控制系统 日期:2023-09-20 13:20:10 点击:229 好评:0

    为什么开关电源需要控制系统 使输出稳定跟踪参考源是大多数开关电源的必要能力。大多数开关电源为恒压输出,对于恒定负载系统,如LED驱动,输出恒压和恒流是类似的。 据电感伏...

  • [芯片制造] [半导体后端工艺:第六篇] 传统封装方法组装工 日期:2023-09-19 21:44:51 点击:892 好评:2

    我们了解到半导体封装方法主要分为两种:传统封装和晶圆级封装。接下来,本文将重点介绍这两种封装方法,以及两者在组装方法和功能方面的差异。在本篇文章中,将着重介绍传统...

  • [芯片制造] 芯片键合(Die Bonding) 日期:2023-09-18 19:29:00 点击:267 好评:0

    作为半导体制造的后段工序,封装工艺包含背面研磨(Back Grinding)、划片(Dicing)、芯片键合(Die Bonding)、引线键合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步骤。这些工艺的顺序可根据封装技术的变化进...

  • [芯片制造] 芯片APR中的Trans和Skew:对芯片PPA的影响 日期:2023-09-17 18:41:11 点击:886 好评:0

    在芯片设计中,APR(Advanced Place and Route,高级布局与布线)是一个关键的阶段,它涉及到将逻辑电路元件放置到芯片上,并建立它们之间的物理连接。在APR过程中,设计工程师需要考虑...

  • [芯片制造] 了解不同类型的半导体封装 日期:2023-09-17 18:26:59 点击:374 好评:0

    在本系列第二篇文章中 ,我们主要了解到半导体封装的作用。这些封装的形状和尺寸各异,保护和连接脆弱集成电路的方法也各不相同。在这篇文章中,我们将带您了解半导体封装的不...

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