半导体产品在由二维向三维发展,从技术发展方向半导体产品出现了系统级封装(SiP)等新的封装方式,从技术实现方法出现了倒装(FlipChip),凸块(Bumping),晶圆级封装(Wafer lev...
每一款PCB产品的设计方式非常多,设计到的内容也非常多,比如如何布线就是一门大学问,本文主要从直角走线,差分走线,蛇形线等三个方面来阐述。 1、直角走线 直角走线一般是...
01简 介 相位噪声是振荡器的基本指标之一。经验丰富的工程师可以通过查看相位噪声图来了解有关振荡器质量以及它是否适合应用的很多信息。RF 工程师专注于某些载波偏移频率下的相...
只读存储器( ROM )是只能读取实现存储的信息的存储器。 断电后所存数据不会丢失,根据可编程、可抹除功能,ROM可分为PROM、EPROM、OTPROM、EEPROM和Flash等。Flash是当前主流的存储器,具...
序章:先来看看半导体的产业链,再来看看部分分类以及了解一下元素周期表,我们再来进行逐一展开 芯片半导体从元素矿产到沙粒到硅片到实现的功能,经历过多道的加工制造工序,...
CP 、 FT 、 WAT测试 1、CP 是把坏的Die挑出来,可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer的良率。 2、FT 是把坏的chip挑出来;检验封装的良率。 现在对于一般的wafer工艺,很多公...
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在一个晶圆上,通常有几百个至数千个芯片连在一起。它们之间留有80um至150um的间隙,此间隙被称之为划片街区(Saw Street)。将每一个具有独立电气性能的芯片分离出来的过程叫做划片...
本期介绍IC带电ESD测试方法,这个方法比较特殊,目前没有测试标准,是在IC业内使用的测试规范,早期出现在IEC62215-3的提案中,后面在发布版中被取消了。而且,很容易与IC不带电的...
截至发稿,上一篇文章 IC带电ESD测试方法介绍 阅读量已经突破 800, 创了本公众号的历史浏览记录,看得出来大家对IC ESD的关注度和熟悉度十分高,毕竟IC设计中必不可少的模块IO保护电...