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据semianalysis报道,他们正在密切跟踪的一个项目是光刻支出如何随着各种节点缩小而演变。这项研究最初是从28 nm开始,然后从第一代 FinFET 节点发展到第一个 EUV 节点,再到第一个 Ga...
静电放电即ESD(Electro-Staticdischarge),是指具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移。ESD是20世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。因此...
覆晶封装Flip Chip Package于无铅化之蜕变 覆晶载板的制造 1.覆晶载板FC Carrier是一种HDI增层(Build up)式多层板。其中Core板为高Tg(220℃)刚性强与超薄铜皮(5m)的特殊板材。而增层者则一律为A...
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不同底部填充( Underfill )技术 自underfill在工业生产中广泛应用以来,已经发展出几种典型的underfill,包括 毛细流动型 底部填充胶 (Capillary Underfill,CUF)、 非流动型底部填充胶 (No-Flo...
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