 PART01 功率MOSFET结构1）横向MOSFET结构 普通横向MOSFET，不利于耐压的提高（易造成沟道穿通），不适合制作功率器件。  普通MOSFET结构 LDMOSFET，解决了易沟道穿通的问题，但仍不适合制作功率器件，因为表面利用率低。但可作为集成电路中的高压MOSFET。  LDMOS结构 2）垂直MOSFET结构 功率MOSFET起始于V-MOSFET，但由于氢氧化钾腐蚀工艺和V形槽尖端的电场集中使其仍不适合制作功率MOSFET的制作。  V-MOSFET VD-MOSFET，解决了V-MOSFET的问题，但存在JFET电阻，仍有待发展。  VD-MOSFET U-MOSFET消除了JFET电阻，有效降低了低耐压器件的导通电阻，但对高耐压器件导通电阻的降低有限。  UMOSFET 超级结MOSFET通过电荷耦合效应，改善了电场分布，通过降低芯片厚度实现高压器件导通电阻的降低。  超级结MOSFET PART02 功率MOSFET的基本特性 无论V-MOSFET，VD-MOSFET，U-MOSFET哪一种结构，源和漏之间都包含了两个背靠背的PN结，但源和P基区之间的PN结被短路了，因此，功率MOSFET只在第一象限能承受高耐压，在第三象限为正偏PN结特性。以VDMOSFET为例讨论其特性。 1）漏极电压较小时的I-V特性  当栅电压较小时，其V-I特性为一个受控于栅压的电阻特性。随着栅压的增加，栅压对电阻的控制能力减弱。 当栅压较小时，导通电阻以沟道电阻为主，受控于栅压。当栅压较大时，沟道电阻以漂移区电阻为主，不受栅压控制。总电阻不随栅压增加而减小。 2）漏极电压较大时的I-V特性  功率MOSFET的漏源电压为负时，呈现的是二极管的正向特性。如果同时在栅极施加正栅压大于阈值电压时，即使漏源电压小于pn结开启电压，也有漏电流出现，且随着栅压增加而增加。可用于同步整流。 PART03 超级结MOSFET的基本特性 超级结 MOSFET 的核心价值是 “在中高压领域打破传统 MOSFET 的硅极限”，通过结构创新实现了 “高压耐压” 与 “低导通损耗” 的兼顾，同时保持快开关速度，成为中高频中高压电力电子系统的主流选择，也是传统硅基器件向宽禁带器件过渡的重要桥梁。
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