 一些数据表提供了功率耗散与环境温度的关系图，如果没有提供，您可以再次向供应商索取。对于我们使用的晶体管，没有这样的图表。但是，我们仍然可以解决它。 求解MOSFET在25℃时的实际功耗 MOSFET的实际功耗只是漏极电流与导通电阻的平方的乘积。  方程8 求解MOSFET在-40℃时的实际功耗  方程9 求解MOSFET在120℃时的实际功耗  公式10 根据图7，在25℃时，使用建议的最小焊盘尺寸时，功耗（元件的额定功率）为0.42W。在25℃时，该元件的计算功耗仅为4.7mW，远低于此额定值，因此在标称环境温度下运行时，MOSFET不会有危险。 在低于25℃标记的任何温度下，设备的功率耗散额定值都将保持不变。因此，计算值远低于0.42W额定值，因此在-40℃运行时，设备不会受到应力。 剩下有待计算的是设备在最高环境温度120℃下的额定功率。MOSFET额定值肯定会降低，我们将使用以下公式找出新的额定值。  公式11 式中： Tjmax是数据表中指定的元件的最高结温。 Tamax是目标环境温度，而Rthja是从结到环境的热阻。 根据图7，我们使用的元件的最高工作结温为150℃。热阻结到环境温度，最小推荐焊盘尺寸为300℃/W。现在，MOSFET在120℃时的功率耗散能力为  方程12 该设备在120℃时的实际功耗仅为100mW的额定功率，与额定功率100mW相比非常小。毫无疑问，该设备不会出现故障。 |
