 EBIC (Electron Beam Induced Current)技术可用来找出接面的缺陷、观察p-n接面的轮廓和计算出扩散长度(diffusion length)。  电子束撞击试片时会产生电子电洞对，电子电洞对受到空乏区内建电场的分离，再经由点针所构成的回路形成电流，由电流影像可判断缺陷位置与接面轮廓。 EBAC (Electron Beam Absorbed Current)可快速且有效地定位出线路上开路(open)或桥接(short)的位置。   电子束穿过护层或IMD，在metal层累积电荷，metal 层可深达3到4层，累积的电荷因点针构成的回路而形成电流，由电流影像便可判断开路与短路的位置。 常见问题 Q1. 闸极氧化层崩溃 (gate oxide breakdown) 该如何找出失效真因？ A. 利用EBIC(electron beam induced current)技术，就可以轻易找到闸极氧化层崩溃的位置喔。 由于电子束撞击样品时产生电子电洞对，再经由点针构成的回路形成电流，就可以由电流影像来判断缺陷的位置。  |
