· 芯片制造过程非常复杂，可能会存在一些微小的缺陷，这些缺陷在正常测试条件下可能不会立即显现出来。HTOL 测试的长时间和高温高应力条件能够使这些潜在缺陷暴露。

· 芯片的性能参数在长时间工作后可能会发生漂移。通过 HTOL 测试，可以观察芯片的关键性能参数（如工作频率、功耗、信号完整性等）随时间的变化情况。

· 本文就是 AECQ 测试条款的介绍，故而， AECQ测试就从HTOL开始

· 标准&方法：主要的测试方法有JESD22-A108、MIL-STD-883方法1005.8、EIAJ-ED4701/100-101等标准。

· 试验参数:是温度、电压和时间。试验温度是根据芯片的运行温度等级选择的（如车载电子元器件应力认证要求, AEC Q100中的工作温度等级），试验电压一般为芯片的最高工作电压，试验时间一般为1000小时

· 测试样品: 需要从不连续的三个批次中抽取，每批次至少77颗样品，正式量产后也会选择性的抽样测试。

老化方案设计:

· 在芯片老化方案设计上，通常会参考芯片应用电路图进行老化方案设计，要保证芯片内部的每个模块都能老化，测试才有意义。

· 在芯片应用电路图进行设计老化电路时，外围器件的选型，要留有充足的余量，耐压、耐温都要高一些的，以确保在高温状态下也能让芯片稳定工作，每颗芯片的电源也最好加一个保险丝，这样当其中一颗电源短路失效时，不会波及到其他芯片

· 结构设计

· 一般主要采用两种方式：Mother board的方式和Socket的方式。这两种方式的选择上，可以从芯片的封装形式、引脚数量、功耗大小来综合考虑。

· Pass条件
· 老化前后都需要对每颗芯片进行ATE测试并记录数据，测试结果全部Pass，则代表HTOL测试通过程

· 监控过程

· 在老化测试过程中，需要在线实时监控老化中每颗芯片的电压、电流、寄存器数据、时间及频率等诸多参数，并实时记录保存成记录

· 失效分析（Failure Analyze）

如有失效的器件，则应分析出失效原因，进行改进并重新进行HTOL试验，直至

全部Pass，才能认为HTOL测试通过。

搜索

热门标签:

AECQ--HTOL

· 芯片制造过程非常复杂，可能会存在一些微小的缺陷，这些缺陷在正常测试条件下可能不会立即显现出来。HTOL 测试的长时间和高温高应力条件能够使这些潜在缺陷暴露。