 预处理（Precondition Test: Pre-con）测试目的：芯片吸收一定水分，并进入Reflow，然后查看芯片是否有脱层、爆米花效应等；此实验用于模拟芯片在生产、运输、上板使用等过程。 参考规范：J-STD-020、JESD22-A113 湿度敏感等级：Moisture sensitivity level  预处理流程  温度循环实验（Temperature cycling test:TCT） 测试目的：评估芯片封装对于极端高低温快速转换之耐受度。进行该测试时，将芯片按照预定的循环次数反复暴露于此条件下。 测试条件：条件B -55~125℃，700cycles 条件G -40~125℃，850cycles 条件C -65~125℃，500cycles 条件K 0~125℃，1500cycles 条件J 0~100℃，2300cycles 样品数 : 25ea/lot , 3lots 参考规范：MIL-STD-883 Method 1010.7、JESD22-A104  温湿度偏压高加速应力实验（High accelerated temperature and humidity stress test: HAST） 测试目的：芯片处于密闭空间内高温、高湿、高压的加速因子下，施加电压，以实验封装的抗腐蚀能力，确定其可靠性。 测试条件：130℃/110 ℃，85% RH，蒸气压:33.3/17.7 psia，电压Vcc=Vccmax，测试时间:96/264hrs 样品数：25ea/lot , 3lots（这个只是参考，具体取样要求根据可靠度&置信度计算，以及客户要求） 参考规范：JESD22-A110 温湿度无偏压高加速应力实验（Un-bias High accelerated temperature and humidity stress test: uHAST） 测试目的：芯片处于密闭空间内高温、高湿、高压的加速因子下，以实验封装的抗腐蚀能力，确定其可靠性。 测试条件：130℃/110 ℃ ,85% RH，蒸气压:33.3/17.7 psia，测试时间：96/264hrs 样品数：25ea/lot , 3lots（这个只是参考，具体取样要求根据可靠度&置信度计算，以及客户要求） 参考规范：JESD22-A118 温湿度偏压实验（Temperature and humidity bias test: THB） 测试目的：芯片处于高温、高湿的加速因子下，施加电压，以实验封装的抗腐蚀能力，确定其可靠性。 测试条件：温湿度:85℃/85% RH，电压Vcc=Vccmax ，测试时间：1000hrs 样品数：25ea/lot , 3lots 测试读点：168 、500 、1000hrs 参考规范：JESD22-A110 高温储存（High temperature storage life test：HTSL） 测试目的：模拟芯片被使用前,长时间储存的情况。 测试条件：150 ℃，测试时间：1000hrs 样品数：25ea/lot , 3lots 测试读点：168 、500 、1000hrs 依据规范：JESD22-A103 高温工作寿命实验（High temperature operating life test :HTOL） 测试目的：芯片处于高温条件下，加入动态信号，并长时间工作，以评估其使用寿命，并确定其可靠性。 测试条件：结温(Tj)≧125℃，电压Vcc≧Vccmax，测试时间：1000hrs 样品数：77ea/lot , 3lots 测试读点：168 、500 、1000hrs 参考规范：MIL-STD-883 Method 1005.8、JESD22-A108  低温工作寿命实验（Low temperature operating life test :LTOL） 测试目的：芯片处于低温条件下，加入动态信号，并长时间工作，以评估“热载子衰退效应”（Hot carrier degradation）。 测试条件：结温(Tj)≦50℃，电压Vcc≧Vccmax ，测试时间：1000hrs 样品数：32ea/lot , 1lot 测试读点：168 、500 、1000hrs 参考规范：JESD22-A108 早夭失效率实验（Early life failure rate test:ELFR/EFR） 测试目的：芯片处于与HTOL类似的条件下，通过一定数量的实验样本，找到早夭产品，进而评估出早夭率 测试条件：结温（Tj）≧125℃，电压Vcc≧Vccmax，测试时间:48~168hrs 样品数：依 ELFR table 参考规范：JESD22-A108、JESD74  |
