 AEC Q100针对每个测试项目都注释了其使用范围、破坏性或非破坏性的属性等，具体定义见Table2。B: 仅要求焊球表面贴装(BGA)器件。 C: 铜线器件的测试条件和样品大小应该按照AEC-Q006。 D: 破坏性测试，期间不得重复用于认证或生产。 F：要求倒装BGA(基于基板)封装器件。 G: 允许使用通用数据。见第2.3节和附录1。 H: 仅要求密封器件。 K: 使用方法AEC-Q100-005对独立的非易失性存储器的IC或具有非易失性存储器模块的IC进行预处理。 L: 仅要求无铅器件。 N: 非破坏性测试，器件还可用于其他测试或者用于生产。 P: 仅要求塑封器件。 S: 仅要求表面贴装塑封器件。 W: 仅要求引线键合die(引线处没有进行包覆成型) 下面接上篇对Group A~G各组各个项目的适用范围以及附加要求作进一步解读。 PART 1：Group A 加速环境应力试验 A1-PC：PC 预处理。Notes中包含了P、B、S、G、C、F，即主要适用于塑封器件、BGA器件、倒装BGA器件，允许使用通用数据，试验的性质是非破坏性的。要求的用量为77pcs*3lots，接受标准0失效，测试方法参考JEDEC J-STD-020和JESD22-A113。 附加要求：仅在表面贴装器件上执行。PC在THB/HAST、AC/UHST/TH、TC和PTC测试之前进行。建议采用J-STD-020，以确定按照JESD22-A113实际PC应力中应执行的预处理水平。根据JESD22-A113的标准，合格证书的最低可接受等级为3级。在适用的情况下，在进行预处理和/或MSL时，必须在报告中体现预处理水平和峰值回流温度。按照JESD22-A113/J-STD-020，如果设备通过了后续的资格鉴定测试，die表面的分层是可接受的。必须报告任何设备的更换情况。通过AM（声学显微镜）检查3个批次（共9个器件）中3个器件的分层。必须报告主动die附着（电或热活性）分层大于50%的情况。必须报告导线粘接表面的分层情况。PC前后测试芯片室温性能参数。 ------------------------------------------------------------------- A2-THB or HAST：THB 温湿度偏压，HAST 带电高加速温度和湿度应力测试。Notes中包含了P、B、D、G、C、F，即主要适用于塑封器件、BGA器件、倒装BGA器件，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量为77pcs*3lots，接受标准0失效，测试方法参考JEDEC JESD22-A101或A110。 附加要求：对于表面贴装器件，需要在THB（85℃/85%RH 1000小时）或HAST（130℃/85%RH 96小时，或110℃/85%RH 264小时）之前进行预处理。在THB或HAST前后按顺序进行室温和高温电性能测试。中间读点仅在室温下测试。------------------------------------------------------------------- A3-AC or UHST or TH：AC 高压炉测试，UHST 温湿度无偏压高加速应力测试，TH 温湿度无偏测试。Notes中包含了P、B、D、G、F，即主要适用于塑封器件、BGA器件、倒装BGA器件，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量为77pcs*3lots，接受标准0失效，测试方法参考JEDEC JESD22-A102、A118或A101。 附加要求：对于表面贴装器件，需要在AC（121℃/15psig 96小时）或UHST（130℃/85%RH 96小时，或110℃/85%RH 264小时）验证前进行预处理。UHST比AC更可取。对于对高温和压力敏感的封装（如BGA），可以预处理后TH（85℃/85%RH 1000小时）代替。在AC or UHAST or TH验证项目前后，样品都需要进行室温条件下的电性能测试。------------------------------------------------------------------- A4-TC：TC 温度循环。Notes中包含了H、P、B、D、G、C、F，即主要适用于密封器件、塑封器件、BGA器件、倒装BGA器件，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量为77pcs*3lots，接受标准0失效，测试方法参考JEDEC JESD22-A104以及附录3。 附加要求：对于表面贴装器件，TC之前需要预处理。按照器件所属等级，测试的环境温度范围以及循环次数有如下要求 Grade 0：-55ºC至+150ºC 500次循环或同等条件。 Grade 1：-55℃至+150℃ 1000次循环或同等条件。 Grade 2：-55ºC至+125ºC 1000次循环或同等条件。 Grade 3：-55ºC至+125ºC 500次循环或同等条件。 注意：对于Grade 1，-65℃至150℃ 500次循环也是一个允许的测试条件，可作为遗留使用，没有已知的寿命问题。  在TC前后需要进行室温和高温条件下的电性能测试。TC完成后，从一个批次抽取5个样品开盖，对每个器件每个角2根键合线和每条边中间一根键合线进行WBP（Bond线拉力）测试。开盖过程中要尽可能减小器件损伤和附录3中提到的错误数据的可能。 在TC后，通过AM（声学显微镜）检查3个批次（共9个器件）中3个器件die附着（电或热活动）或引线表面区域的分层。测试结果应根据要求提供给用户。------------------------------------------------------------------- A5-PTC：PTC 功率温度循环。Notes中包含了H、P、B、D、G、C、F，即主要适用于密封器件、塑封器件、BGA器件、倒装BGA器件，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量45pcs*1lot，接受标准0失效，测试方法参考JEDEC JESD22-A105。 附加要求：对于表面贴装器件，PTC验证之前要进行预处理。仅需要在功耗重复变化≥1瓦和功率上升时间< 0.1s导致结温变化≥40ºC的应用下使用的器件上进行测试（例如，感应负载的智能电源开关）。 Grade 0：环境温度-40ºC至+150ºC 1000次循环。 Grade 1：环境温度-40℃至+125℃ 1000次循环。 Grade 2/3：环境温度-40ºC至+105ºC 1000次循环。 本试验期间不得发生热停机。PTC验证前后都需要进行室温和高温电性能测试。- ------------------------------------------------------------------ A6-HTSL：HTSL 高温存储试验。Notes中包含了H、P、B、D、G、K、C、F，即主要适用于密封器件、塑封器件、BGA器件、倒装BGA器件，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量45pcs*1lot，接受标准0失效，测试方法参考JEDEC JESD22-A103。 与A组其他项目的区别是，如果器件属于非易失性存储器或者具有非易失性存储器模块的IC，需要按照AEC-Q100-005中的方法对其进行预处理。 附加要求：HTSL验证前后都需要进行室温和高温电性能测试。 § 对于塑封器件和倒装BGA器件，按照器件所属等级，测试的环境温度以及持续时间有如下要求： Grade 0：环境温度175ºC 1000小时或环境温度150ºC 2000小时。Grade 1：环境温度150℃ 1000小时或环境温度175ºC 500小时。Grade 2/3：环境温度125ºC 1000小时或环境温度150ºC 500小时。 § 对于陶瓷封装器件的测试要求：环境温度250ºC 10小时或环境温度200ºC 72小时。 注:如果满足封装和等级要求，可以用验证项目B3 (EDR)的测试数据代替A6 (HTSL)验证。 PART 2：Group B加速使用寿命模拟试验 B1-HTOL：HTOL 高温工作寿命。Notes中包含了H、P、B、D、G、K、F，即主要适用于密封器件、塑封器件、BGA器件、倒装BGA器件，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量77pcs*3lots，接受标准0失效，测试方法参考JEDEC JESD22-A108。 同HTSL，如果器件属于非易失性存储器或者具有非易失性存储器模块的IC，需要按照AEC-Q100-005中的方法对其进行预处理。 附加要求：按照器件所属等级，测试的环境温度以及持续时间有如下要求： Grade 0：环境温度150ºC 1000小时。 Grade 1：环境温度125℃ 1000小时。 Grade 2：环境温度105ºC 1000小时。 Grade 3：环境温度85ºC 1000小时。 HTOL注意事项: 1)适当等级环境温度和时间是HTOL验证的最低要求；同时应当能够测量或计算芯片的结温。 2)在HTOL的验证中，如果器件结温大于等于产品规定的结温最大工作范围(Tjopmax)，但低于设计允许的最大额定结温极限值，则可以使用结温代替环温。 3)如果用结温来设置HTOL条件，则用活化能0.7eV或其他技术上合理的方式，来设定产品进行1000小时验证的最低温度值。 4) Vccmax要同时满足直流和交流参数，在测试过程中产品不应发生热保护停机。在室温、低温和高温下(按顺序)分别进行HTOL前后的电性能测试。另一种可选的顺序是室温、高温最后低温。 5）如果适用，应在HTOL后对关键性能和可靠性相关的电气参数进行漂移分析，以确定适当的保护带能够符合数据表规格。有关漂移分析的指导，参考AEC-Q100-009。 ------------------------------------------------------------------- B2-ELFR：ELFR 早期寿命失效率。Notes中包含了H、P、B、N、G、F，即主要适用于密封器件、塑封器件、BGA器件、倒装BGA器件，允许使用通用数据，试验的性质是非破坏性的。要求的用量800pcs*3lots，接受标准0失效，测试方法参考JEDEC JESD22-A008。 同HTOL和HTSL，如果器件属于非易失性存储器或者具有非易失性存储器模块的IC，需要按照AEC-Q100-005中的方法对其进行预处理。 附加要求：通过此验证的产品可用于其他的压力测试。通用数据是适用的。ELFR前后试验要进行室温和高温下的电性能测试。 ------------------------------------------------------------------- B3-EDR：EDR 非易失性存储耐久性、数据保持性、工作寿命验证项目。Notes中包含了H、P、B、D、G、K、F，即主要适用于密封器件、塑封器件、BGA器件、倒装BGA器件，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量77pcs*3lots，接受标准0失效，测试方法参考AEC-Q100-005。 附加要求：在室温和高温条件下进行EDR前后的电性能测试。样本量和批次要求适用于每一个Q100-005中的每个NVM测试项。 PART 3：Group C测试项目 C1-WBS：WBS 绑线剪切。Notes中包含了H、P、B、D、G、C，即主要适用于密封器件、塑封器件、BGA器件，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量至少5颗样品30根线，接受标准是CPK＞1.67，测试方法参考AEC Q100-001和AEC Q003。 附加要求：在适当的时间间隔内完成对每个绑线的验证。 ------------------------------------------------------------------- C2-WBS：WBP 绑线拉力。Notes中包含了H、P、B、D、G、C，即主要适用于密封器件、塑封器件、BGA器件，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量至少5颗样品30根线，接受标准是CPK＞1.67或者TC后0失效，测试方法参考MIL-STD883 Method 2011和AEC Q003。 附加要求：条件C或D。对于直径 ≥ 1mil的金线，TC后最小拉力强度为3克。对于金线直径＜1mil，参照MIL-STD-883 Method 2011中图2011-1的最小拉力强度的指导原则。对于金线直径＜1mil，拉线应钩在球键上方而不是在中线处。 ------------------------------------------------------------------- C3-SD：SD 可焊性。Notes中包含了H、P、B、D、G、F，即主要适用于密封器件、塑封器件、BGA器件、倒装BGA器件，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量15pcs*1lot，接受标准和测试方法参考JEDEC J-STD-002。 附加要求：如果器件在发货前通常进行老化筛选，为SD准备的样品必须首先进行老化或者同等的高温烘烤。 ------------------------------------------------------------------- C4-PD：物理尺寸。Notes中包含了H、P、B、G、F，即主要适用于密封器件、塑封器件、BGA器件、倒装BGA器件，允许使用通用数据。要求的用量10pcs*3lots，接受标准是CPK＞1.67,测试方法参考JEDEC JESD22-B100 B108和AEC Q003。 附加要求：有关重要尺寸和公差，请参阅适用的JEDEC标准和每个器件规格书。 ------------------------------------------------------------------- C5-SBS：焊球剪切。Notes中包含了B、D、G、F，即主要适用于BGA器件、倒装BGA器件，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量3个lot，每个lot至少10颗样品且每颗样品5个球，接受标准是CPK＞1.67，测试方法参考AEC Q100-010和AEC Q003。 附加要求：在完整性（机械）测试之前进行预处理加热（两次回流循环）。测试中使用的无铅回流曲线，参考J-STD-020。 -------------------------------------------------------------------- C6-LI：引脚完整性。Notes中包含了H、P、D、G，即主要适用于密封器件、塑封器件，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量至少1个lot，5颗样品中每颗样品选择10个引脚，接受标准是没有引脚开裂或损坏，测试方法参考JEDEC JESD22-B105。 附加要求：无需对表面贴装器件开展此测试，仅针对通孔器件。 ------------------------------------------------------------------- C7-BST：凸点剪切测试。Notes中包含了D、F，即主要适用于倒装BGA器件，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量至少5颗样品，每颗样品20个凸点，接受标准是CPK＞1.67，测试方法参考JEDEC JESD22-B117或与之等效的AEC Q003。 附加要求：JESD22-B117，球剪切，是一种参考方法。当用户需要新技术时，应提供数据、测试方法、计算和内部准则。 PART 4：Group D测试项目 D1-EM：EM 电迁移。根据对新技术的要求，应向用户提供数据、测试方法、计算和内部标准。 D2-TDDB：TDDB 时间依赖性电介质击穿。根据对新技术的要求，应向用户提供数据、测试方法、计算和内部标准。 D3-HCI：HCI 热载流子注入。根据对新技术的要求，应向用户提供数据、测试方法、计算和内部标准。 D4-BTI：BTI 偏置温度不稳定性。根据对新技术的要求，应向用户提供数据、测试方法、计算和内部标准。 D5-SM：SM 应力迁移。根据对新技术的要求，应向用户提供数据、测试方法、计算和内部标准。 PART 5：Group E 电气验证试验 E1-TEST：TEST 应力验证前/后的功能测/性能参数测试。Notes中包含了H、P、B、N、G、F，即主要适用于密封器件、塑封器件、BGA器件、倒装BGA器件，允许使用通用数据，试验的性质是非破坏性的。需求的样品数量是全部的等待进行AEC Q100的样品；接受标准是0失效；测试方法是根据规格书中的参数要求或者客户的定义进行测试。 附加要求：要按照表2和图2中所示相关应力内容和附加要求进行TEST测试。所使用的测试软件应符合Q100-007的要求。应力验证之前和之后的所有TEST测试，都需要在每个器件规格要求的温度和极限值范围内进行。 -------------------------------------------------------------------- E2-HBM：HBM 静电放电人体模型。Notes中包含了H、P、B、D、F，即主要适用于密封器件、塑封器件、BGA器件、倒装BGA器件，试验的性质是非破坏性的。需求的样品为1个lot，数量参考JS-001规定每个等级3pcs；接受标准是2kV HBM条件下0失效，分级2或更高（对于小于等于28nm或者射频工作频率下，满足1kV HBM即可，分级1C或更高）；测试方法参考AEC Q100-002。 附加要求：进行ESD前后要进行室温和高温电性能测试。器件应按最大耐压等级分类并记录在供应商认证报告中。如果器件HBM小于2000V或1000V需要用户的特别批准。低于2kV的目标级别（分类2）必须在数据表中报告。应根据要求向用户提供将按射频频率工作的引脚分类的理由。JEDEC JEP155可以提供进一步的指导。 ------------------------------------------------------------------- E3-CDM：CDM 静电放电带电器件模型。Notes中包含了H、P、B、D、F，即主要适用于密封器件、塑封器件、BGA器件、倒装BGA器件，试验的性质是非破坏性的。需求的样品为1个lot，数量参考AEC Q100-011至少3pcs；接受标准是角落引脚750V、其他引脚500V CDM条件下0失效，分级C2A（对于小于等于28nm或者射频工作频率下，满足250V CDM即可，分级C1或更高）；测试方法参考AEC Q100-011。 附加要求：进行ESD前后要进行室温和高温电性能测试。器件应按最大耐压等级分类并记录在供应商认证报告中。如果器件CDM小于500V或250V需要用户的特别批准。低于目标级别（角落引脚750V、其他引脚500V ）必须在数据表中报告。应根据要求向用户提供将按射频频率工作的引脚分类的理由。JEDEC JEP157可以提供进一步的指导。 ------------------------------------------------------------------- E4-LU：LU 栓锁。Notes中包含了H、P、B、D、F，即主要适用于密封器件、塑封器件、BGA器件、倒装BGA器件，试验的性质是破坏性的。需求的样品数量为3pcs*1lot；接受标准是0失效；测试方法参考AEC Q100-004。 附加要求：进行LU前后要进行室温和高温电性能测试。 ------------------------------------------------------------------- E5-ED：ED 电分配。Notes中包含了H、P、B、F，即主要适用于密封器件、塑封器件、BGA器件、倒装BGA器件。需求的样品数量为30pcs*3lots；接受标准是CPK>1.67；测试方法参考AEC Q100-009和AEC Q003。 附加要求：供应商和用户应就要测量的电气参数和接受标准达成一致。在室温、高温和低温下进行电性能测试。 ------------------------------------------------------------------- E6-FG：FG 故障分级。接受标准和测试方法参考AEC Q100-007。 附加要求：生产测试要求见AEC Q100-007。 ------------------------------------------------------------------- E7-CHAR：CHAR 特征描述。测试方法参考AEC Q003。 附加要求：在新技术和部分家族中执行。 ------------------------------------------------------------------- E9-EMC：Electromagnetic Compatibility 电磁兼容性。需求的样品数量为1pcs*1lot；测试方法参考SAE J1752/3-辐射。 附加要求：关于确定该测试对认证器件的适用性指南，请见附录5。本测试及其接受标准将根据具体情况按照用户和供应商之间的协议来执行。 ------------------------------------------------------------------- E10-SC：Short Circuit Characterization 短路特性。Notes中包含了D、G，即允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。需求的样品数量为10pcs*3lots；接受标准0失效；测试方法参考AEC Q100-012。 附加要求：适用于所有智能电源器件。这种测试和统计评估(见Q100-012第4节)应根据具体情况按照用户和供应商之间的协议来执行。 ------------------------------------------------------------------- E11-SER：Soft Error Rate 软失效率。Notes中包含了H、P、D、G，即主要适用于密封器件、塑封器件，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。需求的样品数量为3pcs*1lot；测试方法参考JEDEC未加速：JESD89-1或加速：JESD89-2和JESD89-3。 附加要求：适用于存储容量≥1Mbit的SRAM或基于DRAM单元的器件。根据参考规范，可以执行任何一种测试选项（未加速或加速）。本测试及其接受标准根据具体情况按照用户和供应商之间的协议来执行。最终的测试报告应包括详细的测试设备位置和海拔数据。 ------------------------------------------------------------------- E12-LF：Lead (Pb) Free 无铅。Notes中包含了L，即仅适用于无铅器件。样品数量、测试方法和接受标准参考AEC Q005。 附加要求：适用于所有无铅器件。注意所有相关可焊性、焊料耐热性和晶须要求的建议。 PART 6：Group F 缺陷筛选试验 F1-PAT：Process Average Testing 过程平均测试。测试方法参考AEC Q001。 F2-SBA：Statistical Bin/Yield Analysis 统计箱/产量分析。测试方法参考AEC Q002。 附加要求：供应商根据测试方法确定样品量和接受标准。如果无法对给定零件进行这些测试，供应商必须提供理由。供应商必须执行符合本指南意图的PAT和SBA。 PART 7：Group G 腔体包装完整性试验 G1-MS：Mechanical Shock 机械振动。Notes中包含了H、D、G、W，即主要适用于密封器件和只进行引线键合而引线处没有包覆成型的die，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量15pcs*1lot；接受标准0失效；测试方法参考JEDEC JESD22-B110。 附加要求：仅Y1平面，5个脉冲，持续时间0.5毫秒，峰值加速度1500g。试验前后需要测试室温下电性能。 ------------------------------------------------------------------- G2-VFV：Variable Frequency Vibration 变频振动。Notes中包含了H、D、G、W，即主要适用于密封器件和只进行引线键合而引线处没有包覆成型的die，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量15pcs*1lot；接受标准0失效；测试方法参考JEDEC JESD22-B103。 附加要求：在＞4min的时间内完成频率从20hz到2khz再到20hz(对数变化)的变化，每个方向4个循环，50g峰值加速度。试验前后需要测试室温下电性能。 ------------------------------------------------------------------- G3-CA：Constant Acceleration 恒加速度。Notes中包含了H、D、G、W，即主要适用于密封器件和只进行引线键合而引线处没有包覆成型的die，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量15pcs*1lot；接受标准0失效；测试方法参考MIL-STD-883 Method 2001。 附加要求：仅Y1平面，30K g-force适用于＜40只引脚的封装，20K g-force适用于40及更多引脚的封装。试验前后需要测试室温下电性能。 ------------------------------------------------------------------- G4-GFL：Gross/Fine Leak 泄露测试。Notes中包含了H、D、G，即仅适用于密封器件，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量15pcs*1lot；接受标准0失效；测试方法参考MIL-STD-883 Method 1014。 附加要求：任何单一指定的精密泄露测试要在严重（粗）泄露测试之前进行。 ------------------------------------------------------------------- G5-DROP：Package Drop 封装跌落。Notes中包含了H、D、G、W，即主要适用于密封器件和只进行引线键合而引线处没有包覆成型的die，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量5pcs*1lot；接受标准0失效。 附加要求：将器件从6个轴上每个轴一次、从1.2米的高度掉落混凝土表面。本测试仅适用于MEMS空腔设备。DROP试验前后需要测试室温下电性能。 ------------------------------------------------------------------- G6-LT：Lid Torque 封盖扭矩。Notes中包含了H、D、G，即仅适用于密封器件，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量5pcs*1lot；接受标准0失效；测试方法参考MIL-STD-883 Method 2024。 ------------------------------------------------------------------- G7-DS：Die Shear 芯片剪切。Notes中包含了H、D、G、W，即主要适用于密封器件和只进行引线键合而引线处没有包覆成型的die，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量5pcs*1lot；接受标准0失效；测试方法参考MIL-STD-883 Method 2019。 附加要求：在所有空腔器件封盖/密封之前进行。 ------------------------------------------------------------------- G8-IWV：Internal Water Vapor 内部水蒸气含量。Notes中包含了H、D、G，即仅适用于密封器件，允许使用通用数据，试验的性质是破坏性的。要求的用量5pcs*1lot；接受标准0失效；测试方法参考MIL-STD-883 Method 1018。 |
