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AEC-Q100认证流程和测试方法

时间:2020-02-12 10:55来源:www.ictest8.com 作者:ictest8 点击:
AEC-Q100认证流程和测试方法
通用测试
测试流程如图1:AEC-Q100认证流程 所示,测试细则如表1:AEC-Q100认证测试方法所列。并不是所有测试都适用于一切器件,例如某些测试只适用于陶瓷封装器件,其他测试只适用于非易失性存储器器件等。表1:AEC-Q100认证测试方法 的注释栏中指定了适用于特殊器件类型的测试。表2 的“附加要求”栏中也提供了重点测试要求,取代了参考测试方法的那些要求。任何使用者要求的及未列入本文件的特别认证测试和条件,需要供应商和使用者进行协商。
器件特殊测试
对于所有密塑封的待认证特殊器件,必须进行以下测试。通用数据不允许用在这些器件上。如果已经存在的器件特殊数据则是可以接受的。
1、静电放电---所有产品
2、闩锁效应---所有产品
3、电分配---供应商必须证明,超过了工作温度等级、电压和频率范围,器件能够满足其规格说明的参数限制。数据必须取自至少三个批次,或矩阵式(或斜式)制程批次,都必须提供足够的样品进行有效的统计,详见Q100-009。强烈推荐使用AEC-Q001 的零件平均
测试指导原则来建立终测限度。
4、其他测试---使用者可以要求其他测试,取代那些来自他与特殊供应商经验的通用数据。
图1:AEC-Q100认证流程
表1:AEC-Q100认证测试方法
测试组A   加速环境应力测试
应力测试
缩写
编号
每批样品个数
批数
接受标准
遵循的测试规范
附加要求
预处理 PC A1 77 3 0 Fails JEDEC J-STD-020 JESD22-A113 仅用于表面贴器件。预处理在THB/HAST、AC/UHST、TC和PTC之前进行。推荐执行J-STD-020的JA113来决定实际预处理应力需要进行的预处理级别。认证最低可接受级别是JA113的级别3。当进行预处理和(或)潮湿敏感度等级时,预处理级别和峰值回流焊温度必须提供报告。芯片表面分层根据JA113/J-STD-020是可以接受的,只要其通过了后续的认证测试。任何器件的交换移位都需要有报告。预处理前后的测试都在室温下进行。
有偏温湿度或高加速度应力测试 THB or    HAST A2 77 3 0 Fails JEDEC    JESD22-A101 or A110 对于表面贴装器件,预处理要在THB(85℃/85%相对湿度,1000小时)或HAST(130℃/85%相对湿度,96小时,或110℃/85%,264小时)之前。THB或HAST前后的测试都在室温和高温下进行。
高压或无偏高加速度应力测试或无偏温湿度 AC or    UAST or TH A3 77 3 0 Fails JEDEC    JESD22-A102,A118 or A101 对于表面贴装器件,预处理要在AC(121℃/15psig(磅/平方英寸),96小时)或无偏HAST(130℃/85%相对湿度,96小时或110℃/85%,264小时)。对于对高温和压力敏感的封装(如BGA),TH(85℃/85%相对湿度,1000小时)前的预处理可以取代掉。AC或UHST前后的测试都在室温下进行。
温度循环 TC A4 77 3 0 Fails JEDEC    JESD22-A104 and Appendix 3(针对绑线测试的塑封开启指导) 表面贴装器件温度循环前的预处理。
      等级0:-65℃-175℃ 500个循环,-50℃-175℃ 1000个循环,或-50℃-150℃ 2000个循环
      等级1:-65℃-150℃ 500个循环或-50℃-150℃,1000个循环
      等级2:-50℃-150℃ 500个循环或-50℃-125℃,1000个循环
      等级3:-50℃-125℃ 500个循环或-50℃-105℃,1000个循环
      等级4:-10℃-105℃ 500个循环或10℃-90℃ 1000个循环    温度循环前后的测试在高温下进行。完成温度循环后,打开一个批次里5个器件,在其四角邦定处(每角有2个邦定)和每边一个中间邦定处进行邦线拉力测试。
功率温度循环 PTC A5 45 1 0 Fails JEDEC    JESD22-A105 表面贴装器件在功率温度循环前取22个器件进行预处理。测试仅要求器件的最大额定功率=1瓦或是设计驱动感应负载的器件。
      等级0:-40℃-150℃ 1000个循环
      等级1:-65℃-125℃ 1000个循环
      等级2—4:-65℃-105℃ 500个循环
      测试中不能发生热关闭
      功率温度循环的前后测试应在室温和高温下进行。
高温存储寿命测试 HTSL A6 45 1 0 Fails JEDEC    JESD22-A103 塑封零件
      等级0:175℃ 1000个小时或150℃ 2000个小时
      等级1:150℃ 1000个小时或175℃ 500个小时
      等级2-4:125℃ 1000个小时或150℃ 500小时
      陶瓷封装零件
      250℃ 10小时或200℃ 72小时
      HTSL前后的测试都应在室温和高温下进行
测试组B  加速寿命模拟测试
应力测试
缩写
编号
每批样品个数
批数
接受标准
遵循的测试规范
附加要求
高温工作寿命 HTOL B1 77 3 0 Fails JEDEC JESD22-A108 对于有非易失性存储器的器件,根据Q100-005耐久性预处理必须在HTOL前进行。表面贴装器件温度循环前的预处理。
      等级0:175℃408小时或者150℃ 1000小时
      等级1:150℃408小时或者125℃ 1000小时
      等级2:125℃408小时或者105℃ 1000小时
      等级3:105℃408小时或者85℃ 1000小时
      等级4:90℃408小时或者70℃ 1000小时
      最大电压下保证直流和交流的参数。测试中不能发生热关闭,HTOL前后的测试在室温,高温和低温条件下进行。
早期失效率 ELFR B2 800 3 0 Fails AEC-Q100    008 通过这项应力测试的器件可以用在其它应力测试上。通过数据可以使用。ELFR前后的测试在室温和高温条件下进行。
NVM擦写次数,数据保持和工作寿命 EDR B3 77 3 0 Fails AEC-Q100 005 EDR前后的测试在室温和高温条件下进行
测试组C  封装组装整合测试
应力测试
缩写
编号
每批样品个数
批数
接受标准
遵循的测试规范
附加要求
绑线切应力 WBS C1 最少5个器件中的30个绑线 Cpk〉1.33
      Ppk>1.67
      Cpk〉1.33
      Ppk>1.67或温度循环(#A4)后0 Fails
AEC-Q100 001 每个邦定间有个适当的时间间隔
绑线拉力 WBP C2 MIL-STD883    method 2011 条件C或D尽显直径》=1千分之一英寸,测温度循环后的最小拉力=3克。金线直径(1千分之一英寸,参考MIL-STD883Method2011-1)中规定的最小拉力,金线直径千分之一英寸,邦线拉力应进行在锡球邦定处而不是在邦线中间。
可焊性 SD C3 15 1 >95%引脚覆盖 JEDEC    JESD22-B102 如果出货前器件能够正常进行筛选老化试验,可焊性样品必须首先耐受住老化。测试前预先进行8小时蒸汽老化(镀金引线1个小时)。
物理尺寸 PD C4 10 3 Cpk>1.33
      Ppk>1.67
JEDEC JESD22-B100 and B108 对于重要尺寸和公差,可见JEDEC标准和个别器件的说明。
锡球切应力 SBS C5 最少10个器件中的5个锡球 3 Cpk>1.33
      Ppk>1.67
AEC-Q100    010 整合(机械的)测试前进行热预处理(2个220℃的回流焊循环)。
引线完整性 LI C6 5个零件每一个的10个引线 1 无破损或开裂 JEDEC    JESD22-B105 表面贴装器件(球栅阵列封装)不作要求。仅对针脚通孔器件作要求。
测试组D  芯片晶圆可靠度测试
应力测试
缩写
编号
每批样品个数
批数
接受标准
遵循的测试规范
附加要求
电迁移 EM D1 - - - - 数据、测试方法、计算和内部标准能够用在使用者对新的技术的要求上。
经时介质击穿 TDDB D2 - - - - 数据、测试方法、计算和内部标准能够用在使用者对新的技术的要求上。
热载流子注入 HCI D3 - - - - 数据、测试方法、计算和内部标准能够用在使用者对新的技术的要求上。
负偏压温度不稳定性 NBTI D4 - - - - 数据、测试方法、计算和内部标准能够用在使用者对新的技术的要求上。
应力迁移 SM D5 - - - - 数据、测试方法、计算和内部标准能够用在使用者对新的技术的要求上。
测试组E  电气特性确认测试
应力测试
缩写
编号
每批样品个数
批数
接受标准
遵循的测试规范
附加要求
应力测试前后功能参数 TEST E1 ALL ALL 0 Fails 测试项目根据供应者数据规格或用户手册 测试软件应满足AEC-Q-100-007的要求。所有认证应力前后的电性测试要在个别器件说明的温度和界定值中达到其界限下进行。
人体模式/机器模式静电放电 HBM/MM E2 参考测试规范 1 0 Fails AEC-Q100-002
      AEC-Q100-003
ESD前后的测试在室温和高温条件下进行。至少要进行一种模式。应根据最大耐电压级别将器件进行分类,器件级别(2000VHBM或(和)<200VNM的情况需要使用者特别承认。
带电器件模式静电放电 CDM E3 参考测试规范 1 0 Fails AEC-Q100-011 ESD前后的测试在室温和高温条件下进行。至少要进行一种模式。应根据最大耐电压级别将器件进行分类,器件级别(750V边角引脚或(和)<500V    其他引脚的CDM情况需要使用者特别承认。
闩锁效应 LU E4 6 1 0 Fails AEC-Q100-004 LU前后的测试在室温和高温条件下进行。
电分配 ED E5 30 3 见AEC-Q100-009 AEC-Q100-009 供应者和使用者相互协商用于测量和可接受标准的电性参数。测试在室温、高温和低温下进行。
故障分级 FG E6 - - 见AEC-Q100-007第4节 AEC-Q100-007 生产测试见AEC-Q100-007第4节测试要求
特性描述 CHAR E7 - - - AEC-Q003 新技术和零件家族进行。
电热效应引起的栅漏 GL E8 6 1 0 Fails AEC-Q100-006 仅供参考。在GL应力测试完成的96小时内,GL前后的测试在室温下进行。
电磁兼容 EMC E9 1 1 - SAEJ1752/3-辐射 测试和其可接受标准由使用者和供应商根据具体情况协商。
短路特性描述 SC E10 10 3 0 Fails AEC-Q100-012 适用于所以灵敏功率器件。测试和统计评估(见AEC-Q100-012第4节)由使用者和供应者根据具体情况协商。
软错误率 SER E11 3 1 - JEDEC
      无加速:JESD89-1
      加速:JESD89-2或JESD89-3
适用于大于1M比特存储量的静态和动态随机存储器基本单元的器件。根据参考规格,可以选择两种测试之一(无加速的或加速的),测试和其可接受标准由使用者和供应者根据具体情况协商。终测报告应包括详细的测试设备场所和高度数据。
测试组F 瑕疵筛选监控测试
应力测试
缩写
编号
每批样品个数
批数
接受标准
遵循的测试规范
附加要求
部件平均测试 PAT F1 - - - AEC-Q001 供应者在他们的标准化制造操作中采用这些测试是非常值得的
统计良率分析 SBA F2 - - - AEC-Q002
测试组G  封装凹陷整合测试
应力测试
缩写
编号
每批样品个数
批数
接受标准
遵循的测试规范
附加要求
机械冲击 MS G1 39 3 0 Fails JEDEC JESD22-B104 只能是Y1平面,5脉冲,5兆秒持续时间,1500克加速度峰值。MS前后的测试在室温下进行。
变频振动 VFV G2 39 3 0 Fails JEDEC JESD22-B103 20赫兹到2000赫兹再到20赫兹(对数变化)超过分钟,每个方向有4次,50克峰值加速度。VFV前后的测试在室温下进行。
恒加速应力 CA G3 39 3 0 Fails MIL-STD883 Method 2001 只能是Y1平面,小于40引脚封装的力为30千克,40引脚以上封装的力为20千克。CA前后测试在室温下进行。
变频振动 VFV G2 39 3 0 Fails JEDEC JESD22-B103 20赫兹到2000赫兹再到20赫兹(对数变化)超过分钟,每个方向有4次,50克峰值加速度。VFV前后的测试在室温下进行。
恒加速应力 CA G3 39 3 0 Fails MIL-STD883 Method 2001 只能是Y1平面,小于40引脚封装的力为30千克,40引脚以上封装的力为20千克。CA前后测试在室温下进行。
粗/细气漏 GFL G4 39 3 0 Fails MIL-STD883 Method 1014 任何专一指定的细气漏测试随后都有专一的粗气漏测试。仅适用于陶瓷封装凹陷器件。DROP前后的测试在室温下进行。
跌落测试 DROP G5 5 1 0 Fails - 零件从1.2米的高度向6个方向跌落到混凝土表面上。该测试仅适用于微机电系统凹陷器件。DROP前后的测试在室温下进行。
盖板扭力测试 LT G6 5 1 0 Fails MIL-STD883 Method 2024 仅适用于陶瓷封装凹陷器件。
芯片切断 DS G7 5 1 0 Fails MIL-STD883 Method 2019 对于所有凹陷器件要在盖装/密封前进行该实验。
内部水蒸气含量 IWV G8 3 1 0 Fails MIL-STD883 Method 1018 仅适用于陶瓷封装凹陷器件。
说明
注释:
H 仅要求密封器件
P 仅要求塑封器件
B 仅要求焊球表面贴装(BGA)器件
N 非破坏性测试,器件还可以用到其它测试上或者用到生产上
D 破坏性测试,器件不能重新用来认证和生产
S 仅要求表面贴装塑封器件
G 承认通用数据。
K 使用 AEC-Q100-005 方法来对独立非易失性存储器集成电路或带有非易失性存储器模块的集成电路进行预处理。
# 特殊测试的参考数据
* 认证应力前后的所有电性能测试都要在个别器件的温度和限定值说明的界限下进行。
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