 引言"在器件制造的前端生产环节结束后，对器件（芯片或晶粒）进行的检测称为晶圆测试或探针测试。该检测会使用特殊墨水标记不良器件，这些器件在切割（划片）工序后将被剔除。此功能的目的是核查器件的完整性，同时避免对不良器件进行不必要的封装。" 测试系统与探针台 o 测试系统 测试系统向器件施加信号，测量器件的输出信号，执行合格/失效判定，随后将测试结果传输至晶圆探针台。 o 晶圆探针台 晶圆探针台将载物台上的晶圆传送至测试头（测试系统的组成部分）正下方，使其与探针卡的针尖接触。完成测量后，接收来自测试系统的检测结果（合格/失效判定），并使用打标器对不良芯片进行标记。 如下左图中间为晶圆探针台，最左边灰色的正方体部分即为测试头，晶圆测试时会倒扣到探针台上，如下右图所示：  不良器件的剔除 <1> 由晶圆探针台或打标器标记过墨水的不良器件，将在后续工序中被切割机（划片机）切除分离。 <2> 不良器件的坐标数据被记录（但不进行墨水标记），这些器件将在后续工序中被切割机切除分离。 打标器 一种用于通过晶圆探针台等设备在器件上标记墨水的工具，用以标识每个器件的测试结果。  上面第一张图是所有器件在一张晶圆上的位置，Notch朝下，待整片晶圆做完CP测试后，判定为不良的芯片将被标记。标记方式根据工艺差异可能包括：喷墨打标（Ink Marking），激光刻蚀（Laser Marking），电子数据图映射（eMap Recording）。该功能的目的是检测器件的完整性，并避免对不良器件进行不必要的封装。  探针卡（器件检测用测试卡）根据器件电极焊盘的位置排布电性接触点。通过将探针卡压合至晶圆，实现测试系统与器件电极焊盘的临时线路连接。 探针卡为实现与晶圆电极焊盘的接触，其表面配置大量探针。当前主流类型采用水平探针排布架构（针尖运动方向平行于晶圆平面）。虽然传统悬臂式探针（Cantilever Probe）仍占主流，但是现代探针卡技术已发展出垂直探针/微机电探针等衍生类型）。其中垂直探针卡（Vertical Probe Card）在高端测试中渗透率逐渐提升，微机电系统探针（MEMS Probe）慢慢成为3D IC测试解决方案）。  在晶圆测试中，制造工艺的问题会得到反馈，因此测试结果会以晶圆图（wafer map）的形式呈现。通过将每个芯片的测试结果映射到晶圆上对应的位置，可以一次性观察晶圆表面的失效趋势和分布情况。显示数据包含分类数据和测量值，并通过符号或不同颜色进行可视化区分。 存储单元（Memory Cell）: 存储单元是存储数据（1/0）的最小电路单元，其最简结构由1对晶体管+1个电容构成（1T1C架构）。例如： 64Mbit容量存储器 ≈ 集成6,400万个存储单元 现代3D NAND已实现单芯片1Tb（万亿比特）级集成  o 高密度存储器件中的冗余电路设计 配置冗余电路的存储器件可通过备用单元（spare cells）替换失效单元来提升良率。晶圆测试阶段会对不良器件进行分析，判断其是否可通过替换为备用线路（spare lines）实现功能修复，该过程称为修复分析（repair analysis），其分析程序则定义为修复算法（repair algorithm）。 o 冗余机制实现由以下2个层面组成： · 物理层面：每块存储阵列预留5-20%的冗余单元 · 逻辑层面：通过熔丝（fuses）/反熔丝（antifuses）或eFuse技术实现地址重映射 o 主流修复算法类型 · 行/列替换算法（Row/Column Replacement） · 基于二分图匹配的智能分配算法 · 机器学习驱动的预测性修复算法  修复分析后的测试流程 根据修复分析结果，器件将分为两类处理： o 不可修复器件 · 直接判定为不良品（failed devices） · 进入墨点标记/晶圆图记录流程 o 可修复器件 · 通过激光修复设备（laser repair equipment）执行电路重 · 修复技术包括： ▸ 激光熔断（Laser Blowing） ▸ 微焊点重构（Micro-bonding） ▸ 可编程熔丝激活（eFuse Programming） 必须通过修复后测试（post-repair test）验证功能 测试阶段定义 o 修复前测试（pre-repair test）： 定位原始缺陷，生成修复方案（含冗余资源分配图） o 修复后测试（post-repair test）： 验证修复有效性，检测二次损伤（激光热效应等） |
