 首先要明确一下运放芯片的两个输入端口名称分别表示为同相、反相输入端。运放内部是由三部分构成的：输入级，中间级，输出级。输入级主要提高芯片的输入阻抗，中间级实现对信号的放大，输出级减小输出阻抗，对于我们直接使用芯片来说只管输入和输出端口输入信号即可。在运放芯片的输入端口有些芯片内部设计了包含二极管主要作用为ESD防护但是防护能力有限和浪涌防护。如果想提高电路ESD防护能力还是自己选择TVS管或肖特基二极管来作外部防护。
运放芯片配合外围电路就可以作为信号放大电路功能，信号隔离，滤波，阻抗变换等功能。在具体使用运放作为信号处理时，要注意它的电源要求最好才有LDO(低压差线性电源)作为它的电源，当需要使用负压时采用电荷泵的电源芯片产生，这样可以减少纹波，同时在电源输出端采用π型LC滤波减小电源纹波对运放电路输出信号的影响。
在我们使用运放芯片时，对它各个参数了解很有必要。从TI专业人士都知，与运放芯片相关的参数大约有22个左右，我们实际使用时一定要了解信号源特性从而去选择合适的运放芯片。所以我们去了解一些常见的运放参数很有必要，下面讲对常用的几个参数进行解读，以便我们对运放芯片基本特性有较好的理解。
1.输入失调电压（Vos）: 在输入端信号为0时，但是运放输出端信号不为0,此时通过折算到输入端的电压为输入失调电压。失调电压产生由于运放芯片内部的不对称性引起的，目前一些精密运放采用了斩波折零技术减小此值，但是此类运放芯片价格较高。
2.输入偏置电流（Ib）: 运放芯片输入引脚流入或流出端口电流的平均值。当此值较大时换转换为较大的电压值从而引起直流偏移。但是在软件设计可以采用算法对此固定值进行去除，以减少此直流偏移引起的误差。
3.输入失调电流（Ios）: 此参数是对输入偏置电流的补充。定义为端口输入偏置电流之差值，此值一般小于输入偏置电流值。Ios值越小越好，说明运放芯片内部对称性越好，设计较好的高精密运放芯片此值可以达到pA级别。
4.共模输入电压范围： 运放两输入端与地之间能加电压范围。一般运放芯片共模电压负压值稍微低于负电源，正压稍微低于电源正电压值，与电源轨有距离原因是由于内部的MOS在导通时存在压降引起的。所以我们在设计电路时要注意输出电压留有几十mv的余量以免输出饱和了。
5.输出动态范围： 输出动态范围值目前较好的输出能力就是Rail-to-Rail，但是实际使用时还是要留几十个mv的余量。同时它的输出能力还与负载有关。
6.压摆率： 也就是电压上升的速率，单位时间内信号电压上升的越快压摆率就越高了。此参数在处理高速信号和比较器电路使用要多关注此参数值，单位为V/us;
7.增益带宽积（GBP）： 闭环增益为1，从输出端测试输出信号的幅度降到-3Db(0.707)时，此时对应的信号频率。GBP=Gain*Bandwidth 公式可以知道，随着信号频率提高增益是减小的，所以在处理高速信号时要注意此参数值。
8.开环增益： 理想运放的开环增益无穷大，但现实是不可能的，所以我们在选择尽量选择此值较大的运放芯片。此值也是与频率相关，频率增加开环增益会减小。
9.共模抑制比（CMRR）： 此值反应运放芯片对共模信号的抑制能力。我们设计的电路目的就是放大差模信号抑制共模信号，所以值越大越好，它的表示单位用分贝来表示。此值也是与频率相关，频率越大CMRR减小。
10.电源纹波抑制比（PSRR）： 电源电压变化时，在输出端引起的变化折算到输入端的值，更加简单的理解就是电源波动对运放输出的影响。当然影响越小越好，所以PSRR越大，意味着此运放芯片的抗电源电压变化能力强。此参数与频率有关，频率增加时；PSRR会减小。
11.噪声密度： 这是运放芯片本身固有的参数。噪声分为电压噪声和电流噪声，单位分别为nv/和pA/，由单位知道此参数是与信号频率相关的。在低频率时此值较大，高频时噪声较小。
运放芯片的几个极限参数： 2.共模/差模输入电压范围； 3. 芯片的工作温度范围；考虑结温和环境温度。 4. 输入电流值； 5. ESD；关于ESD三种模型;HBM,MM,CDM。常用的模型HBM:人体模型，MM:机器模型。 |
