1、TTL 器件和 CMOS 器件的逻辑电平 1:输入高电平(VIH): 保证逻辑门的输入为高电平时所允许的最小输入高电平,当输入电平高于 VIH 时,则认为输入电平为高电平。 2:输入低电平(VIL):保证逻辑门的输入为低电平时所允许的最大输入低电平,当输入电平低于 VIL 时,则认为输入电平为低电平。 3:输出高电平(VOH):保证逻辑门的输出为高电平时的输出电平的最小值,逻辑门的输出为高电平时的电平值都必须大于此 VOH。 4:输出低电平(VOL):保证逻辑门的输出为低电平时的输出电平的最大值,逻辑门的输出为低电平时的电平值都必须小于此 VOL。
5:阀值电平(VT): 数字电路芯片都存在一个阈值电平,就是电路刚刚勉强能翻转作时的电平。它是一个界于 VIL、VIH 之间的电压值,对于 CMOS 电路的阈值电平,基本上是二分之一的电源电压值,但要保证稳定的输出,则必须要求输入高电平> VIH,输入低电平<VIL,而如果输入电平在阈值上下,也就是 VIL~VIH 这个区域,电路的输出会处于
扇出能力也就是输出驱动能力,通常用驱动同类器件的数量来衡量。 限制因素是输入信号上升时间:本身输出电阻和下级输入电容形成积分电路影响输入信号的上升时间(输入信号从低电平上升到VIH min 所需时间),实际电路当中,尽量使被驱动输入端限制在 10 以内。 ECL:由于 ECL 的工作速度高,考虑到负载电容的影响, ECL 的扇出一般限制在10 以内。
门电路输出极在集成单元内不接负载电阻而直接引出作为输出端,这种形式的门称为开路门。开路的 TTL、 CMOS、 ECL 门分别称为集电极开路( OC)、漏极开路( OD)、发射极开路( OE),使用时应审查是否接上拉电阻( OC、 OD 门)或下拉电阻( OE 门),以及电阻阻值是否合适。对于集电极开路( OC)门,其上拉电阻阻值 RL 应满足下面条件:
1.2:常用的逻辑电平 其中 TTL 和 CMOS 的逻辑电平按典型电压可分为四类: 5V 系列( 5V TTL 和5VCMOS)、 3.3V 系列, 2.5V 系列和 1.8V 系列。
5V TTL 和 5V CMOS 逻辑电平是通用的逻辑电平。 1.3开路门
门电路输出极在集成单元内不接负载电阻而直接引出作为输出端,这种形式的门称为开路门。开路的TTL、CMOS、ECL门分别称为集电极开路(OC)、漏极开路(OD)、发射极开路(OE),使用时应审查是否接上拉电阻(OC、OD门)或下拉电阻(OE门),以及电阻阻值是否合适。对于集电极开路(OC)门,其上拉电阻阻值RL应满足下面条件: 其中n:线与的开路门数;m:被驱动的输入端数。 2、逻辑电平匹配 2.1为什么要进行逻辑电平匹配? TTL、CMOS、ECL等输入、输出电平标准不一致,同时采用上述多种器件互连时,为了使前级输出的逻辑0和1能被后级安全、可靠地识别,应考虑电平之间的转换问题。 另一方面各种器件所需的输入电流、输出驱动电流不同,为了驱动大电流器件、远距离传输、同时驱动多个器件,都需要审查电流驱动能力:输出电流应大于负载所需输入电流。 2. 进行逻辑电平匹配所要遵循的原则 a.电平关系,驱动器件的输出电压必须处在负载器件所要求的输入电压范围,包括高、低电压值。 b.驱动能力,驱动器件必须能对负载器件提供灌电流最大值。驱动器件必须对负载器件提供足够 大的拉电流。 c.时延特性,在高速信号进行逻辑电平转换时,会带来较大的延时,设计时一定要充分考虑其容 限。 d.选用电平转换逻辑芯片时应慎重考虑,反复对比。通常逻辑电平转换芯片为通用转换芯片,可 靠性高,设计方便,简化了电路,但对于具体的设计电路一定要考虑以上三种情况,合理选用。 e.应保证合格的噪声容限(Vohmin-Vihmin≥0.4V,Vilmax-Volmax≥0.4V),并且输出电压不超过输入电压允许范围。 f.对上升/下降时间的影响。应保证Tplh和Tphl满足电路时序关系的要求和EMC的要求。 g.对电压过冲的影响。过冲不应超出器件允许电压绝对最大值,否则有可能导致器件损坏。 其中条件1,属于门电路电压兼容性的问题,条件2属于扇出数的问题。 2.2 实例 5V TTL门作驱动源 驱动3.3V TTL/CMOS 通过LVC/LVT系列器件(为TTL/CMOS逻辑电平输入,LVTTL逻辑电平输出)进行转换。 驱动5V CMOS 上拉5V电阻,或使用AHCT系列器件(为5VTTL输入、5VCMOS输出)进行转换。 3.3V TTL/CMOS门作驱动源 驱动5V CMOS 使用AHCT系列器件(为5V TTL输入、5VCMOS输出)进行转换(3.3V TTL电平( LVTTL)与5V TTL电平可以互连)。 5V CMOS门作驱动源 驱动3.3V TTL/CMOS 通过LVC/LVT器件(输入是TTL/CMOS逻辑电平,输出是LVTTL逻辑电平)进行转换。 2.5V CMOS逻辑电平的互连 随着芯片技术的发展,未来使用2.5V电压的芯片和逻辑器件也会越来越多,这里简单谈一下2.5V逻辑电平与其他电平的互连,主要是谈一下2.5V逻辑电平与3.3V逻辑电平的互连。(注意:对于某些芯片,由于采用了优化设计,它的2.5V管脚的逻辑电平可以和3.3V的逻辑电平互连,此时就不需要再进行逻辑电平的转换了。) 1)3.3V TTL/CMOS逻辑电平驱动2.5V CMOS逻辑电平 2.5V的逻辑器件有LV、LVC、AVC、ALVT、ALVC等系列,其中前面四种系列器件工作在2.5V时可以容忍3.3V的电平信号输入而ALVC不行,所以可以使用LV、LVC、AVC、ALVT系列器件来进行3.3VTTL/CMOS逻辑电平到2.5V CMOS逻辑电平的转换。 2)2.5V CMOS逻辑电平驱动3.3V TTL/CMOS逻辑电平 2.5V CMOS逻辑电平的VOH为2.0V,而3.3VTTL/CMOS的逻辑电平的VIH也为2.0V,所以直接互连的话可能会出问题(除非3.3V的芯片本身的VIH参数明确降低了)。此时可以使用双轨器SN74LVCC3245A来进行2.5V逻辑电平到3.3V逻辑电平的转换。 2.3 差分信号接口
a.CML接口
CML接口输出结构:CML 接口的输出电路形式是一个差分对,该差分对的集电极电阻为50Ω,如图3中所示,输出信号的高低电平切换是靠共发射极差分对的开关控制的,差分对的发射极到地的恒流源典型值为16mA,假定CML 输出负载为一50Ω上拉电阻,则单端CML 输出信号的摆幅为Vcc~Vcc-0.4V。在这种情况下,差分输出信号摆幅为800mV,共模电压为Vcc-0.2V。若CML输出采用交流耦合至50Ω负载,这时的直流阻抗有集电极电阻决定,为50Ω,CML 输出共模电压变为Vcc-0.4V,差分信号摆幅仍为800mV。在交流和直流耦合情况下输出波形见图。
CML接口输入结构: CML 输入结构有几个重要特点,这也使它在高速数据传输中成为常用的方式,如图所示,MAXIM公司的CML 输入阻抗为50Ω,容易使用。输入晶体管作为射随器,后面驱动一差分放大器。
b. PECL接口
PECL接口输出结构:PECL 电路的输出结构如图1 所示,包含一个差分对和一对射随器。输出射随器工作在正电源范围内,其电流始终存在,这样有利于提高开关速度。标准的输出负载是接50Ω至VCC-2V的电平上,如图1 中所示,在这种负载条件下,OUT+与OUT-的静态电平典型值为VCC-1.3V,OUT+与OUT-输出电流为14mA。PECL 结构的输出阻抗很低,典型值为4~ 5 Ω,这表明它有很强的驱动能力,但当负载与PECL 的输出端之间有一段传输线时,低的阻抗造成的失配将导致信号时域波形的振铃现象。
PECL接口输入结构:PECL 输入结构如图所示,它是一个具有高输入阻抗的差分对。该差分对共模输入电压需偏置到VCC-1.3V,这样允许的输入信号电平动态最大。MAXIM公司的PECL 接口有两种形式的输入结构,一种是在芯片上已加有偏置电路,如MAX3867、MAX3675,另一种则需要外加直流偏置。
3. LVDS接口 A) LVDS 传输的信号摆幅小,从而功耗低,一般差分线上电流不超过4mA,负载阻抗为100Ω。这一特征使它适合做并行数据传输。 B) LVDS 信号摆幅小,从而使得该结构可以在2.4V 的低电压下工作。 C) LVDS 输入单端信号电压可以从0V 到2.4V 变化,单端信号摆幅为400mV,这样允许输入共模电压从0.2V 到2.2V范围内变化,也就是说LVDS 允许收发两端地电势有±1V的落差。
2.4、差分信号接口的连接
b. PECL到PECL的连接
PECL 到PECL 的连接分直流耦合和交流耦合两种形式,下面分别介绍:
在3.3V 供电时,电阻按5%的精度选取,R1 为130Ω,R2 为82Ω。而在5V 供电时,R1为82Ω,R2 为130Ω(125Ω)。
这种等效电路同时提供50Ω (上图两个电阻的并联值)的交流阻抗以匹配传输线。然而并没有规定,PECL 的输出阻抗要和传输线特征阻抗匹配。
交流耦合情况
PECL 交流耦合另外有两种改进结构,一种是在信号通路上串接一个电阻,从而可以增大交流负载阻抗使之接近50Ω;另一种方式是在直流偏置通道上串接电感,以减少该偏置通道影响交流阻抗。R3和R2 的选择应考虑如下几点: (1)PECL 输入直流偏压应固定在Vcc-1.3V; (2)输入阻抗应等于传输线阻抗; (3)低功耗; (4)外围器件少。
LVDS到LVDS的连接
b、LVPECL到LVDS的连接
考虑VCC = +3.3V情况,解上面的方程组得到:R1 = 182 ,R2 = 47.5 ,R3 = 47.5 ,VA = 1.13V,RAC = 51.5 ,RDC = 62.4 ,增益 = 0.337。通过该终端网络连接LVPECL输出与LVDS输入时,实测得VA = 2.1V,VB = 1.06V。假定LVPECL差分最小输出电压为930mV,在LVDS的输入端可达到313mV,能够满足LVDS输入灵敏度要求。考虑信号较大时,如 果LVPECL的最大输出为1.9V,LVDS的最大输入电压则为640mV,同样可以满足LVDS输入指标要求。( LVPECL摆幅600-1000mV, LVDS250-400mV)
交流耦合情况
c、LVDS到LVPECL的连接
直流耦合情况
在Vcc 电压为3.3V 时,解上面的方程得:R1=374Ω,R2=249Ω,R3=402Ω,VA=1.2V,VB=2.0V,RIN=49Ω,Gain=0.62。LVDS 的最小差分输出信号摆幅为500mV,在上面结构中加到LVPECL输入端的信号摆幅变为310mV,该幅度低于LVPECL的输入标准,但对于绝大多数MAXIM公司的LVPECL电路来说,该信号幅度是足够的,原因是MAXIM公司LVPECL输入端有较高的增益。在实际应用中,读者可根据器件的实际性能作出自己的判断。( LVPECL摆幅600-1000mV, LVDS 250-400mV)
交流耦合情况
d、CML和LVDS间互连
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