 随着芯片工艺的不断发展，芯片已经逐渐由平面结构过渡向三维结构。据本人所知，目前存在的三种CMOS制造工艺大体分为三种：1. Planner FET（平面结构） 2. FinFet（鱼鳍结构） 3. GAAFET（全环绕结构） 在一开始，几乎所有芯片均采用平面结构的CMOS，如下图所示：  Planner FET（平面结构） 但是在实际应用中 平面结构 的FET存在一定的静态电流，这会导致芯片有些许的静态功耗，后面我的台湾同胞为了减少芯片的静态功耗，发明了鱼鳍结构的Fin FET如下图所示：  FinFet（鱼鳍结构） 在上图中，绿色的部分为控制极栅极，当灰色的沟道和绿色的控制极接触面积更大时，就会使得MOS管关断后的静态电流更小，这就是FinFet拥有更小的静态功耗的原因，当然这样做的缺点就是实现难度很大，尤其在纳米级别的制造中，这是很难的。近几年，韩国的三星公司在此基础上更进一步，发明了全环绕结构的MOS结构，如下图所示：  GAAFET（全环绕结构） 通过上图可以看到，灰色的沟道被控制极栅极全面包裹，这就使得其具有更小的静态电流，更小的静态功耗使得相同体积与功耗小，芯片能够容纳更多的晶体管，芯片的功能会更强。 综上所述，我们可以看到随着芯片制造工艺的逐渐发展，已经进化出三种以上不同的芯片制造工艺，随着工艺的发展，可以达到更好的性能，但是工艺的复杂度也逐步攀升，三种工艺的发展如下图所示：  planner->FinFet->GAAFET |
