 这是一个从case开启的故事。前段时间跟一个同行聊CDM测试，一颗产品CDM只能pass 200V。参考以往测试经验，虽说一些射频相关或带高速接口的芯片，接口的ESD能力会稍差，但小封装一般CDM的等级500V基本能保证，对照如此差异，不得不再度打开了JEP157的等级检查。IC对高速IO的不断增长的需求，以及单个封装中集成更多功能的需要，推动封装尺寸变大，CDM测试能力也受到相应的挑战。  图片引自《JEP157》 高速接口的ESD能力为何较差？ RF 高速设计比标准高速 SERDES 设计更具限制性，而相比于其他电路，他们的ESD能力会较低，这要与使用的ESD保护电路联系起来。 二极管的寄生电容主要来自于PN结的结电容，与带有栅结构的GGNMOS相比，可以算寄生电容很小的一类器件。这个特点对射频电路的ESD防护尤其重要，因为任何外加寄生电容电感的引入都会对射频电路的性能产生影响。低噪声放大器 (LNA) 输入电路尤其不耐受 ESD 保护器件电容。 在这些电路中，ESD 地通常与 LNA 地隔离，并由二极管隔开，如下图：  SoC的 RF 芯片通常用8mm * 8mm 或 10mm * 10mm 的较小 BGA 封装。峰值电流非常低，在 500V 时不超过 3~4 A。峰值电流限制，会影响到CDM的能力，下图为在500V下，BGA封装尺寸大小和峰值电流的对应关系。  CDM等级要求的原因？ 现在回到最开始的问题，CDM能力的要求在JEP157中明显降低的原因。 1. IC 元件的引脚数和封装尺寸显着增长。在给定的预充电压下 ，峰值电流是限制芯片CDM（尤其是封装尺寸）的敏感函数。pin数量和封装尺寸增大，会使IC存储更多的电荷，CDM泄放时峰值电流迅速增加。因而在峰值电流同等的情况下，pin数量、尺寸越大，CDM能力越低。 2. IC 工艺技术的进步。从JEP157的roadmap可以看出，随着工艺尺寸的缩小，CDM能力显著降低。工艺尺寸减小，导致有源器件更小、更脆弱，另外更薄、更具电阻性的金属互连，降低了 ESD电路的稳健性。使得在给定电流水平下，CDM 保护变得更加困难。 3. 具有高速数字、RF 模拟和其他性能敏感引脚的混合信号 IC 日趋普遍。对于高频电路，将 ESD 保护器件直接连接到 I/O 引脚会导致 RF 功能严重下降， 因此，需要将射频保护结构与核心电路隔离。通常通过在 ESD 器件和引脚间插入并联电感/电容网络实现。 这种网络在低频 ESD 作用中提供接近零的阻抗，在正常高频操作中提供接近无穷大的阻抗。 封装类型、芯片种类、封装尺寸、pin数量等之间的相关关系对照如下，两张图分别为65nm&45nm和22nm以下的情况：   JEP157内容还是挺厚实的，大家可以多研究研究，附录中还有一些系统ESD&CDM、CDM&EOS的失效case对比。 |
