  之前我们介绍了HTOL、ESD和HAST等相关内容，今天汇总聊聊其他可靠性实验。 芯片设计公司常做的可靠性实验列表如下：  HTOL介绍参考： 老化寿命计算62 赞同 · 55 评论文章 老化机台及一些测试13 赞同 · 10 评论文章 ESD介绍参考： CDM测试（1）23 赞同 · 0 评论文章 CDM 测试（2）10 赞同 · 6 评论文章 Latch up的一些注意问题24 赞同 · 3 评论文章 BHAST介绍参考： 封装可靠性之BHAST25 赞同 · 9 评论文章 封装可靠性主要是用来激发一些封装过程中，及封装后芯片运输或者存储环境中遇到的可靠性问题，主要包括Precon、TCT、HTSL、UHAST、BHAST。每项可靠性包括不同的测试条件，不同的客户可以有针对性的选择特定的测试条件（测试条件的选择是对不同产品使用条件、成本方面的综合平衡，比如某些产品不需要超额，超额虽然质量和可靠性都提高了，但同时也提高了设计成本等。） Precon吸湿敏感、湿度敏感性试验 Precon旨在确认芯片样品是否因含有过多水份，在SMT回焊(Reflow)组装期间，造成芯片脱层(Delamination)、裂痕(Crack)、爆米花效应，导致寿命变短或损伤。 一般消费电子使用MSL3，最高等级是MSL1。有的时候为了加速验证的时间，我们可以使用快速precon，对应的条件如下：  Precon包括四个步骤： 1） Bake：用一定的温度和时间进行烘烤，模拟水汽被烘烤的过程。 2） Soak：对芯片进行浸润，模拟芯片的吸潮过程。 3） Reflow：模拟芯片上PCB板的过程，芯片一般到客户端，需要做SMT，封装可靠性问题很可能在SMT的过程中暴露出来，在温度变化的过程中，会产生膨胀、片脱层、爆米花效应等。 4） 最后FT测试和SAM同时判定样品是否失效。 TCT温度循环 影响筛选结果的主要参数为温度变化范围、温度变化速率及循环次数。常用实验有温度循环（Thermal Cycling）与温度冲击（Thermal Shock），温度冲击较温度循环温度变化速率更快。 无论是温度循环还是温度冲击，高低温变化对电子产品产生最直接的影响就是机械力作用，由于温度涨落，产品内部结构中产生循环应力应变，由此导致弯曲变形、裂纹或断裂热疲劳失效；由于不同结构材料膨胀系数的差异，在不同材料界面产生张应力和压应力，导致材料界面出现分层、裂纹、拉脱失效。主要影响电子产品的焊点、粘接界面、通孔、接插界面等部位的可靠性。  温湿度试验(Temperature with Humidity)， 藉由高温、高湿、高压的加速因子，验证非密封性包装的电子零组件中，封装材质与内部线路对湿气腐蚀抵抗的能力，针对消费性元器件，JEDEC 定义测试条件包括，THB、 HAST、uHAST、PCT。  失效模式: 将待测产品放置于严苛之高温、高湿、高压测试环境，并同时施加电压，促使水气沿着胶体 (EMC)、导线架 (Lead Frame) 或基板 (Substrate) 的接口渗入产品内部，验证是否有以下失效情形： · 界面接合性 · 打线材料与芯片或铝垫间介金属化合物的变化 · 电解腐蚀 (Electrolytic Corrosion) 形成离子迁移 (Ion Migration)，进而漏电短路 (Short-circuit Leak)  HTSL高温存储 高温存储实验模拟产品在整个生命周期中的热暴露，包括使用时和使用前（即存储），加速任何热激活的故障机制。 一个关键的例子是将这种压力用于 EEPROM 数据保持测试。 评估粘合区柯肯德尔空洞率的主要测试（柯肯特尔效应）在引线键合封装和凸块封装中加速封装中的扩散。柯肯达尔效应可参考之前的介绍： Kirkendall效应？20 赞同 · 3 评论文章  |
