老化验证和封装形式有关系吗？
以下题目来自芯片检测尖端技术线上研讨观众的踊跃提问，可靠性验证相关题目，请RA实验室主管Nily来为各位解答。
Q1老化验证和封装形式有关系吗？
A:无关，任何形式的封装，皆需要做老化实验。VESP提供客户量身订制全方位的一站式服务, 从老化验证的硬件设计/制造到样品调试/实验/报告, VESP都可以协助客户完成。
Q2老化验证时的温度，我这边都是125，这个温度是如何得到的？
A:结温为加速因子之一, 温度越高产品老化速度越快 ,一般设定为不超过产品本身的最大值Tj max , 并没有固定在125。
Table：Device qualification tests
Q3产品功耗和带多少负载如何决定验证时的温度？芯片自己跑pattern的功耗？
A:一般负载会依实际使用状况为主, 各别Pattern Run起来的功耗不同 , 一般会以最大功耗为主, Pattern跑起来后 ,实际量测Tj <Tj max来设定温度。
Q4老化有没有遇到过测试后，发现电性参数没有退化的情况？
A:有可能，老化数据会由产品部门进行收集, 当发现没有退化现象时, 会考虑增加Stress 力道。
Q5车规可靠性中，对EOS有没有要求？（AECQ里面只看到车规芯片进行ESD测试即可，但以前也遇到过EOS造成的芯片失效，所以想确认下车规芯片是否需要对EOS做管控）
A:有的，车规产品的ESD静电测试和消费性电子产品的测试有差异，其所参考的标准主要为GB/T 19951或ISO10605。
Q6做CSP及无球等的无封装可靠性时，如何排除异常干扰，如沾污?
A:实验室对于样品作业手法及保存环境有明确规范，收料及出货前进行外观检测, 确保样品质量。
Q1MK2和MK4是GNDrelay free的吗？
A:MK2和MK4不是GND relay free的设备，是用relay，对所有的Pin脚进行接触的设备。
Q2机台GND relay寄生电容对MM，CDM波形有影响吗？机台GND relay寄生A:MM测试的时候，一般要使用socket board进行测试。机台在和Socket board接触的时候，是relay进行接触的，所以MM的波形是受到寄生电容的影响的。但是，由于MM是200pF 0ohm的放电模型，放电电流会比较大，因此受寄生电容的影响会比HBM小一些。
CDM在测试的时候不使用Socket board，所以不受寄生电容的影响。
Q3ESD HBM测试IO to IO时，由于大部分pin都已经接入，还会有寄生电容的影响吗？
A:对没有接地的Pin来说，也是有可能产生比较大的寄生电容的，所以还是会受到寄生电容的影响。
Q4ESD寄生电容是从测试角度看的分析，但是从ESD保护角度看，GCMOS也会设计电容来保护电路，那么机台对这种大电容芯片有好处还是坏处？E看的分析，但
A:无论是何种形式的保护电路，寄生电容都会有不好的影响。因为寄生电容是导致HBM波形发生失真的原因，波形失真的话，就不会得到满足规范的测试
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