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7. |
chamber待机一段时间后，为何要做Dummy(檔片)? |
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答：chamber待机一段时间后，chamber condition (真空，温度..)有些微变化.若不做dummy，前几片产品会受到影响.一般是由工艺工程师依照实际状态，制定待机时间规则，然后由制造部 operator 放入檔片到chamber 镀膜(其recipe 与产品的recipe相似). 经由 dummy后，chamber condition 会恢复正常水准，可以安心生产. |
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8. |
为何铝靶材需要添加少量的铜? |
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答：电流在铝金属层移动时，铝原子会沿着晶粒界面而移动，若此现象太过剧裂，会导致金属线断路，添加少量的铜可以防止铝线断线 |
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既然添加铜可以防止铝尖峰现像，为何只添加0.5%? |
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答：太多铜，会造成蚀刻困难(铜的氯化物不易挥发) |
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为何PVD的靶材需要冷却? |
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答：避免target表面温度过高，(造成蒸镀现像，使得金属film 的质量不稳定) |
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为何机台必须使用冷却水时，必须控制水质纯净? |
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答：防止结垢，或绝缘 |
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为何制程(process)气体管路必须加热（ from gas box to chamber）? |
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答：防止制程气体冷凝为液体，影响制程. |
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何谓PM ?机台为何要定期PM? |
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答：PM（preventive maintenance）是预防保养. 按周期对机台相应的Parts(备品)采取相应的维护或更换措施，为保持机台性能的稳定，防止制程良率下降，延长机台及Parts寿命.
(1) 依时程而分，可分为月保养，季保养，年保养.
(2) 依wafer 数量而分，是为数量保养. |
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为何工程师做PM时，必须先冷却加热器(heater) 至(room temp.)适当的温度? |
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答：为了工程师安全及机台安全 |
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为何工程师做PM时，chamber必须bake out? |
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答：为了排气，防止不纯气体进入film 中，影响制程 |
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PVD与W-CVD在IC制造中扮演什幺角色? |
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答：铝与钨为金属层,连通device 与封装的导线,在二者之间形成通路，电流得以畅通无阻.(attached drawing) |
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Bake out 是什幺? |
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答：工程师做PM时，打开Chamber时，Chamber内部曝露在大气中，当工程师做完PM时，必须做Bake out，加热Chamber，将附着在内部的水分子…等气体赶走，如此一来可提高真空度 |
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PVD制程中，使用的气体为何? |
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答：N2与Ar |
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N2与Ar在 PVD制程中，使用的目的为何? |
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答：Ar被电子离子化后，成为撞击target的子弹将TARGET的原子打下落在wafer上，N2的目的是氮化target的表面原子. |
