 一、范围： 用于确定偏置条件（偏置通常简单理解为电应力）与温度对固态器件的影响。通过加速方式模拟器件工作状态，主要适用于器件鉴定与可靠性监控。 二、应力持续时间 高温工作寿命试验的持续时间应达到或超过应用使用条件下的等效现场寿命。持续时间基于应力加速模型确定（参见JEP122），即试验时间应根据产品现场寿命以及应力加速模型进行计算确认。 温箱升温至加速高温、降温至室温环境及执行中间测量所耗费的时间，不计入规定的总测试时长。 三、测试温度 除非另有规定，高温应力的环境温度与偏置应调整至使受测器件结温至少达到125°C。除非另有规定，低温应力的环境温度最高为-10°C。对于高温应力期间经历温度波动的产品，只要达到应用寿命等效应力时长目标，允许在特定模块/动态应力模式中采用更高或更低的结温。结温：半导体器件内部核心 PN 结的实际工作温度。  · P：器件的实际功耗（由偏置电压 / 电流决定） · Rth (j-reference)：结到参考点的热阻（单位：°C/W），是器件的固有参数，由封装工艺决定 注：1、针对扩展温度环境设计的器件，其应力温度最高可延伸至250°C。该应力温度可超过工作温度，但不得超出该技术方案的绝对最大额定温度与电压。 四、测试电压 除非另有规定，工作电压应为器件规定的最大工作电压。 五、偏置要求 1、偏置配置可采用偏置应力（静态或脉冲）或工作应力（动态）形式。即电应力的施加方式有这两种选择。  选择不同的偏置条件主要是基于半导体器件的不同失效机制对电应力形式有绝对的选择性—— 一种失效机制只能被特定形式的电应力激活，用错了应力形式就会导致 "漏测" 或 "误判"。 2、高温正向偏置（HTFB） 对器件样品的主要功率结施加正向偏置。器件可工作于静态或脉冲正向偏置模式。对器件样品的主要功率结施加正向偏置。器件可工作于静态或脉冲正向偏置模式。 3、高温工作寿命（HTOL）/低温工作寿命（LTOL） 对器件样品的工作节点施加偏置。器件可工作于动态模式。通常可通过调节输入参数（包括电源电压、时钟频率、输入信号等）控制内部功耗，这些参数甚至可在规定值之外运行，但需确保受测器件行为可预测且无破坏性。 高温工作寿命试验通常适用于逻辑和存储器器件。低温工作寿命试验旨在探测由热载流子效应引发的失效，通常适用于存储器器件或具有亚微米尺寸的器件。 4、高温反向偏置（HTRB） 对器件样品的主要功率结施加反向偏置。该试验的特征是使器件在静态工作模式下，于最大额定击穿电压和/或电流水平的80%至100%范围内（或接近该范围）工作。 高温反向偏置试验通常适用于功率器件。 5、高温栅极偏置（HTGB）对器件样品的栅氧层或其他介质层施加偏置。器件通常工作在静态模式，偏置电压处于或接近最大额定氧化层击穿电压水平。高温栅极偏置试验通常用于功率器件。 六、其他要求 1、温箱容差：温度维持在规定温度±5℃的容差范围内 2、进行高温应力试验的器件，除非另有规定在移除偏置前应冷却至55°C或更低温度。 3、中间测量： 电性测试应在器件偏置移除后尽快完成，高压器件（定义为工作电压> 10伏）的测试时间不得超过96小时，其他器件不得超过168小时。若因测试设备可用性或其他因素难以满足此要求，则必须对器件维持偏置；此偏置可在应力温度或室温下施加，并且可将加速应力电压降至标称电压。若器件已被移除偏置且超出了规定时间窗口，则必须在完成测量前按表1规定的持续时间恢复应力。  |
