欢迎光临专业集成电路测试网~~欢迎加入IC测试QQ群:111938408

专业IC测试网

当前位置: 网站主页 > 测试工程 >

DFT MBIST 内建自测试基础介绍

时间:2025-08-05 19:16来源:dpzc DFT-DS 作者:ictest8_edit 点击:

1 内建自测试概念


1.1 背景

 1.ATE测试成本

2.Memory测试的特殊性

o Memory内部需要测试的单元多

o Memory内部单元规整
       
3.客户对于在线测试的需求:汽车电子的可靠性要求


1.2 基本流程


1. Start BIST:外部控制信号,开始自测试

2. Test Controller控制Pattern Generator生成测试向量

3. 测试向量与正常输入经过Input MUX选择后进入待测单元

4. Compator输出结果压缩,得到Signature签名值

5. 将期望签名值固化保存至ROM中

6. Comparator进行对比输出最终结果

        

 1.3 两种自测试


1. Memory BIST:利用特定算法和向量来测试Memory
2. Logic BIST:利用伪随机测试向量来测试逻辑电路

1.4 自测试优缺点


1. 优点:降低测试成本、缩短测试时间(内部全速测试)、在线测试
2. 缺点:占用额外的电路面积、无法产生某些特殊的测试向量

 

2 Memory BIST基本架构


       

·  TAP控制器:TDI、TMS等IJAT控制信号部分;
· SIB:IJTAG控制开关,SIB打开意味着BIST电路连入IJTAG网络,SIB关闭不做测试处理;


2.1 BIST部分结构


     


·  比较电路:可放在每个Memory附近,也可放在BIST控制器内。放在Memory附近可缩短大量Memory输出到比较电路之间的物理连线长度,比较电路只需要返回一根信号到BIST控制器,但这种放置会导致面积变大;相反,放在BIST呃逆面积小,但绕线难度大;


2.2 Tessent MBIST状态


1.启动:

o BIST控制器的输入:MBISTPG_EN = 1
o BIST控制器的输入:BIST_SETUP[1] = 1,BIST_SETUP[0] = 0
       
2.运转状态:

o BIST运行时DONE为0.test结束后DONE为1
o Test出错后GO为0,一直保持到test结束


2.3 BIST运行状态


1. DONE = 0 且 GO = 0:测试未完成,但是已出错
2. DONE = 1 且 GO = 0:测试完成,有memory出错
3. DONE = 0 且 GO = 1:测试未完成,暂时没有memory出错
4. DONE = 1 且 GO = 1:测试完成,所有memory通过测试

 

3 MBIST算法


   Memory的Fault Model:Fault model通常是由IP开发商、生产制造商、  

   EDA工具厂家、客户共同参入指定的

        常见的fault model包括:

o Stuck-at fault:固接1或0

o Transition fault

o Coupling fault

o Address decoder fault

3.1 Transition fault


        Up Transition Fault:上升跳变错误
        Down Transition Fault:下降跳变错误

        

 
3.2 Coupling Fault 耦合错误


        反向耦合错误:邻近的单元状态变化,导致单元取反
        状态耦合错误:临近单元状态变化,导致单元状态变化

        


 3.3 Address Decoder fault

· 某一个有效的地址对应不上相应的存储单元
· 某一个地址对应多个存储单元
· 多个地址对应一个存储单元

3.4 MBIST基础算法


3.4.1 March-C算法

1. 按地址从低到高:写0
2. 读0,写1
3. 读1,写0
4. 读0
5. 按地址从高到低:读0,写1
6. 读1,写0
7. 读0

3.4.2 Read-Only算法


1. 按地址从低到高:读ROM里的数据,通过MISR压缩
2. 比较压缩后的签名值与期望的签名值
3. 按地址从高到低:读ROM里的数据,通过MISR压缩
4. 比较压缩后的签名值与期望的签名值

3.4.3 棋盘算法(Checkerboard)


     交替写入0/1模式(如黑区全0、白区全1),有效检测相邻单元耦合故障,尤其适用于DRAM和3D堆叠存储器

 

4 Memory BIST修复功能

 4.1 Memory Redundancy

        Memory设计中Redundancy(Row,Column):额外增加一些冗余单元,牺牲面积提升Memory面积

        

 4.2 BIST修复功能

        

1.  BISR regs(Build In Self Repairs):带有redanduncy的memory通常会额外多一些管脚,这些管脚会连到BISR regs上,寄存器存储memory repairs信息,控制哪些redanduncy替换哪些原本的存储单元;

2. 每个memory的repairs信息不同,均有属于自己的regs,对于可修复的存储单元均可以加上BISR regs;

3. 将BISR regs串成一条链路,链路信息从FUSE中获取;

4. FUSE保存整个存储空间的修复信息(测试人员会将测试故障归纳得到修复信息,得出哪些单元需要修复,如何修复);
顶一下
(0)
0%
踩一下
(0)
0%
------分隔线----------------------------
发表评论
请自觉遵守互联网相关的政策法规,严禁发布色情、暴力、反动的言论。
评价:
用户名: 验证码: 点击我更换图片