 书接上文 (Memory测试浅谈) 我们来继续探讨ATE Memory常见测试项目--交流参数测试。交流参数测试(AC Parametric Test): 交流参数测试的目的是确保集成电路(IC)能够符合时序(Timing)规格。在第一章中有一份spec示例，其中很多内容就是用来规范时序规格的，如下图所示。 以TCAC为例进行说明，TCAC是指当CAS信号变为低电压时，集成电路数据线上的数据稳定的时间。  使用 TMEAS Utility函数来测量 TCAC 的时间 TMEAS 是一个实用程序，它通过改变测试条件并比较测试结果，采用二分搜索（Binary Search）的方式来确定所需的时间点。在此示例中，TMEAS 通过调整 STRB 的时间点，来确定 Dout 的时间点，从而计算出 TCAC 时序。 时序图（Timing Chart）   功能测试（FUNCTION TEST） 功能测试旨在验证集成电路的逻辑功能是否正常运作，例如： · 存储器集成电路：验证写入与读取功能是否正确 · 逻辑集成电路：验证AND（与）、OR（或）等逻辑门功能是否正常 读取时序：  写入时序：  1. 功能测试（FUNCTION TEST）为验证存储器元件的读写功能，需按照被测元件的时序图（如前页所示）执行以下测试流程： 2. 写入阶段：依据时序规范将测试数据写入存储单元 3. 读取阶段：从相同地址读取存储数据 4. 数据比对：将读出数据与原始写入数据进行校验 通过该测试流程可判定存储器的写入、存储和读取功能是否正常运作。 存储器元件中存储数据与存储地址的对应关系称为 测试模式（PATTERN）。由于存储器元件内部电路结构及其存储数据（0/1电平）的对应关系会影响元件性能，因此在存储器测试中，不同测试模式的验证成为核心工作。 测试模式的生成是通过微指令运算程序控制 模式发生器（Pattern Generator） 来实现的，该发生器可产生相应的周期性信号。以下是典型的测试 模式示例： 1. 测试程序架构 （1）主程序（Main Program） ① 测试条件设置（Set Test Condition） 2. 时序设定： · 测试速率（Test Rate） · 驱动时钟（Driver Clock） · I/O驱动使能时钟（I/O Driver Enable Clock） · 比较器选通信号（Comparator Strobe） · 电压设定： · 驱动器：INn · 比较器：OUTn · 终端电阻：VTn · 程序加载：ILn · 器件电源：VSn=2V · DC测量单元：VSIM=2V · 引脚状态配置： 将时序和电压参数分配至对应引脚 Pn = [电压值, 时序参数, 波形, 测试模式分配] ② 测试流程控制（Control Test Sequence） 硬件单元启停控制（RON/ROFF） 传输测试模式程序至PG（Pattern Generator） STOP/END指令处理（程序停止与编译结束） 控制位读取 调用PBDATA 执行时序补偿 测试项目编号设置 分类（Category）与分选表（Sort Table）配置 ③ 启动测试 MEAS MPAT（模式测量） MEAS DC（直流测量） MEAS VS（电压测量） （2）测试模式程序（Pattern Program） 使用ALPG（算法模式发生器）微指令集编写，用于定义测试模式。 （3）接口程序（Socket Program） 多芯片测试硬件映射配置文件。 |
