欢迎光临专业集成电路测试网~~欢迎加入IC测试QQ群:111938408
注册
|
登录
|
高级搜索
|
网站地图
|
[
设为首页
] [
加入收藏
]
网站首页
测试工程
测试理论
测试实例
测试设备
相关技术
经验分享
测试研讨会
测试论坛
业界新闻
职业规划
拓展业务
关于我们
搜索
检索标题
智能模糊
搜索
热门标签:
TR6850
eeprom
ASL1000
IDDQ
LCD driver
ACCOTEST
Kalos
FA
csp测试
封装测试
当前位置:
网站主页
>
相关技术
>
芯片制造
>
可测性设计(DFT)之BIST技术详解(182页PPT)
时间:
2024-03-25 20:19
来源:
半导体之芯
作者:
ictest8_edit
点击:
次
顶一下
(0)
0%
踩一下
(0)
0%
------分隔线----------------------------
上一篇:
可测性设计(DFT)之测试技术概述详解
下一篇:
谈一谈射频芯片与基带芯片的关系
发表评论
请自觉遵守互联网相关的政策法规,严禁发布色情、暴力、反动的言论。
评价:
中立
好评
差评
用户名:
验证码:
匿名?
发表评论
最新评论
进入详细评论页>>
本类推荐
谈一谈射频芯片与基带芯片的关
可测性设计(DFT)之BIST技术详解(182页
可测性设计(DFT)之测试技术概述详解
半导体IGBT模块的详解
半导体IGBT功率元器件基础知识的详
走近第三代半导体——氮化镓(G
半导体几大先进封装技术的分享;
半导体IGBT和SiC栅极驱动基础知识的
半导体IGBT模块静态参数的详解;
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应
热文排行
有关芯片trim之poly fuse 和metal fuse
半导体基础知识与晶体管工艺原理
芯片制造的简单科普
详解芯片制造全工艺流程
半导体基础知识与晶体管工艺原理
半导体基础知识与晶体管工艺原理
关于芯片fab的一些知识
晶圆减薄--Taiko工艺
CD4511、CD4511B、CD4511BE、CD4511BEE4有啥
半导体制造工艺基础
相关文章
谈一谈射频芯片与基带芯片的关
可测性设计(DFT)之BIST技术详解(182页
可测性设计(DFT)之测试技术概述详解
半导体IGBT模块的详解
半导体IGBT功率元器件基础知识的详
走近第三代半导体——氮化镓(G
半导体几大先进封装技术的分享;
半导体IGBT和SiC栅极驱动基础知识的
半导体IGBT模块静态参数的详解;
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应