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半导体基础知识与晶体管工艺原理之三(2)

时间:2010-08-14 09:17来源:www.ictest8.com 作者:ictest8 点击:

2-2-7台面工艺

1 什么是台面工艺?台面工艺有什么作用?

对已经用平面工艺形成P-N结的硅片,通过采用:光刻——斜槽切割——腐蚀的方法,使P-N结变成台面结构;然后,再通过采用:电泳玻璃——烧玻璃的方法,把暴露在台面处的P-N结用玻璃保护起来。这样整个的工艺过程,就叫台面工艺。

台面工艺的作用就是,形成台面,保护P-N结,提高和稳定击穿电压。

2两种不同的台面结构——正斜角和负斜角结构(图28a 、28b)

3正斜角台面结构的工艺流程 (图29)

光刻——斜槽切割——腐蚀——电泳玻璃粉——玻璃烧成。

图29台面成形工艺流程
 

4台面工艺的质量要求

1)斜槽的深度和光洁度——要切透高阻层,槽面要腐蚀光洁

(不要毛刺)。

2)斜槽的角度要保证,台面成形要符合要求。

3)玻璃的结晶状态,高度和平整度

4)清洁度

2-2-8三扩、磨抛工艺

1 什么是三扩工艺?什么是磨抛?它们的作用是什么?

通过扩散的方法,把N型硅单晶片做成N+/N/N+结构的工艺,就叫三重扩散(简称三扩)。

经过三扩后的片子,通过磨片、抛光,去掉一面的N+层,而且把N层(高阻层)控制到要求的厚度,这个过程就叫磨抛。

三扩磨抛的作用就是,为某些采用N/N+单晶材料生产的产品,在投料前,进行材料的制作准备,使N型单晶变成N/N+结构(N——三扩后成为N+/N/N+——磨抛后成为N/N+)。

  • 三扩磨抛的工艺过程——POCL3淀积(图30a)——主扩散(图30b)——磨抛(30c)。

3三扩、磨抛工艺的质量要求

  • 三扩的R□和Xj要符合制管要求,而且均匀性要好。
  • 磨抛后高阻层厚度要符合要求,而且平整性要好。
  • 磨抛后的表面质量(光亮、无划道、扫把状等机械缺陷,位错等微缺陷要少)
  • 表面清洁度要求 
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