2-2-3离子注入工艺

1 离子注入的作用——掺杂——形成P-N结（代替扩散或扩散的预

淀积过程）。

2 离子注入的原理——杂质原子在强电场下电离成离子，它具有极高的能量并以极高的速度运动，轰击并打入硅片表面，达到掺杂的目的。

3 离子注入形成P-N结的过程(图26a和图26b)

4 离子注入的优点

• 均匀性好，有利于提高成品率。
• 结深和杂质浓度都可以精确控制，有利于做浅结，而且高浓度和低浓度都可以实现。
• 没有横向扩散，有利于做细线条图形的P-N结。

5离子注入工艺条件的两大要素——剂量（Q）和能量（E）。